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标签:原子层蚀刻

等离子体处理超越CMOS的先进微电子技术
通过技术文件链接- 2021年8月27日-评论:0

N. Marchack, L. Buzi, D. B. Farmer, H. Miyazoe, J. M. Papalia, H. Yan, G. Totir, and S. U. Engelmann，“超越CMOS的先进微电子等离子体处理”，应用物理杂志130,080901 (2021)https://doi.org/10.1063/5.0053666摘要“等离子体放电及其材料相互作用的科学研究对半导体工艺的发展至关重要。»阅读更多

新颖的蚀刻技术利用原子层工艺先进的图案
通过电话- 2020年12月17日-评论:0

我们展示了高选择性和各向异性的Si3N4和SiC等离子体蚀刻。所演示的过程包括一系列的离子改性和化学干燥去除步骤。H离子修饰的Si3N4腐蚀对SiO2和SiC薄膜具有较高的选择性。此外，我们还开发了氮离子改性SiC的选择性蚀刻技术。另一方面，在模版蚀刻过程中，…»阅读更多

原子层蚀刻扩展到新的市场
通过马克LaPedus- 2020年7月16日-意见:0

半导体行业正在开发原子层蚀刻(ALE)的下一波应用，希望在一些新的和新兴市场获得一席之地。ALE是一种下一代蚀刻技术，可以在原子尺度上去除材料，是用于在晶圆厂加工高级设备的几种工具之一。ALE在2016年左右进入了部分应用的生产，尽管该技术…»阅读更多

低温蚀刻重新出现
通过马克LaPedus- 2018年9月20日-评论:0

经过多年的研发，一种名为低温蚀刻的技术正在重新成为生产的可能选择，因为该行业面临着内存和逻辑方面的新挑战。低温蚀刻在低温下去除高纵横比器件中的材料，尽管它一直是一个具有挑战性的过程。低温蚀刻是一种难以控制的工艺，需要专门的低温气体进行腐蚀处理。»阅读更多

半导体工业中原子层蚀刻的概述
通过林的研究- 2016年1月21日-意见:0

原子层蚀刻(ALE)是一种使用自限制的连续反应步骤去除薄层材料的技术。ALE已经在实验室中研究了超过25年。今天，半导体行业正在推动它作为连续蚀刻的替代方案，并被视为原子层沉积的基本对应物。随着我们进入原子sca时代…»阅读更多

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