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技术论文

等离子体处理超越CMOS的先进微电子技术

等离子体处理的未来计算

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N. Marchack, L. Buzi, D. B. Farmer, H. Miyazoe, J. M. Papalia, H. Yan, G. Totir,和S. U. Engelmann,“超越CMOS的先进微电子等离子体处理”,应用物理学报130,080901 (2021)https://doi.org/10.1063/5.0053666

摘要
“等离子体放电及其材料相互作用的科学研究对半导体工艺工程的发展至关重要,进而对整个微电子工业的发展至关重要。近年来,大数据业务模型的扩散引起了人们对候选技术的浓厚兴趣,这些技术有可能在计算能力或功耗等关键指标上取代CMOS架构。这些新技术与现有的逻辑和存储设备具有许多共同的材料元素,但由于其操作的基础物理差异,大规模制造技术对其性能的影响在很大程度上是未知的。因此,有两个组成部分对这一努力至关重要:对任何新兴等离子体工艺相互作用的基本评估,以及为生产所需规格而量身定制等离子体工艺的任何方面的能力。本文综述了等离子体损伤机理的相关研究进展,以及诊断探针和模拟工具等表征方法。并展望了等离子体掺杂、区域选择性蚀刻/沉积、异质集成等技术的应用前景。任何新的计算范式的前沿只能通过对原子尺度工程的关注来探索,等离子科学领域的进步提供了必要的工具集。”

找到这里是技术文件通过AIP应用物理杂志



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