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作者的最新文章

金属氧化物抵制DRAM(铁道部)EUV光刻过程的应用程序
通过电话- 10月19日,2022 -评论:0

本文报告准备的关键EUV抵抗过程技术使用金属氧化物抵制(铁道部)DRAM的目标应用程序。铁道部,减少金属污染和CD一致性(CDU)是关键性能需求预期有关接触后烤(PEB)。基于多年的经验与自旋对类型Inpria铁道部,我们设计了一个新的钢炉实现污染……»阅读更多

快速指南为量子计算机复杂问题的最优解
通过电话——5月18日,2022 -评论:0

大多数人已经听到了“量子计算机。“量子计算机的兴趣有很多在过去的几年里,以极大的期望,他们很快就会极大地改变世界。这些天,我们使用电脑在我们的日常生活中。个人电脑和智能手机是显而易见的电脑,但隐藏在普通的场景中,有很多电脑aro……»阅读更多

半导体制造设备和措施来保护地球的环境
通过电话11月17日,2021 -评论:0

这些年来,许多国家在我们的星球上取得了重大的努力发展本国经济,实现各种行业的显著进步。然而,进步了一个伟大的地球的环境成本。大自然的破坏发生频繁的课程,到了这样一种程度,在一些地区将几乎不可能恢复n…»阅读更多

新颖的蚀刻技术利用原子层过程先进的模式
通过电话12月17日,2020 -评论:0

我们演示了高选择性和各向异性等离子体腐蚀氮化硅和碳化硅。证明过程由一系列离子改性和化学除干燥步骤。的氮化硅腐蚀与H离子改性二氧化硅和SiC电影显示出高选择性。此外,我们已经开发出的选择性腐蚀与N离子改性碳化硅。另一方面,在模式的腐蚀过程中,…»阅读更多

增产技术:努力抑制纳米粒子在半导体生产设备
通过电话——11月18日,2020 -评论:0

当前主流半导体进程大小在几到几十纳米范围。这意味着如果一个纳米粒子小于病毒(以下简单的“粒子”)是目前在硅衬底上,它可能导致缺陷的半导体设备,降低生产产量(即。,良好的芯片生产制造过程的百分比)。Preve……»阅读更多

考虑缺失缺陷抑制技术在EUV孔模式
通过电话——5月21日,2020 -评论:0

这项研究集中在缺陷行为分析通过穿孔模式使用CD变体EUV光刻过程和腐蚀传输性能。而缺陷要求不那么严格的存储设备,逻辑器件必须没有缺陷。目前,来自过程或材料缺陷只能检测到自上而下的检查方法,然而,它是困难的…»阅读更多

努力抑制纳米粒子在半导体生产设备
通过电话——2019年1月24日——评论:0

当前主流半导体进程大小在几到几十纳米范围。这意味着如果一个nanosized-particle小于病毒(以下简单的“粒子”)是目前在硅衬底上,它可能导致缺陷的半导体设备,降低生产产量(即。好的芯片,生产制造过程)....»阅读更多

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