一种集成的方法和一种新的PEB烤箱降低了缺陷。
针对DRAM应用，本文报道了利用金属氧化物抗蚀剂(MOR)制备EUV抗蚀剂的关键工艺技术。对于MOR，减少金属污染和CD均匀性(CDU)是曝光后烘烤(PEB)的关键性能要求。基于多年旋转型Inpria MOR的经验，我们设计了一种新的PEB烤箱，以实现污染缓解，同时保持我们的高标准CDU。在我们的涂布机和显影剂中引入了新的烤炉，并使用线条/空间模式进行了评估。正如结果所述，在超过金属污染规范的情况下，实现了异常的CD均匀性。当使用更高的PEB温度时，新的平板设计还可以减少30%的剂量-尺寸，而CDU不会退化。DRAM应用的另一个挑战是应用于支柱模式的模式崩溃。通过对几个参数的优化，模式崩溃余量使最小CD值提高了13.8%。采用SiC代替SOG作为衬底层，较薄的抗蚀膜厚度和改性抗蚀材料MOR-B相结合的方法，取得了良好的抗蚀效果。最后，为了实现目标良率性能，降低缺陷也是MOR应用的重要任务。 An integrated approach is needed to realize scum free patterning because if metal residuals remain in the open space, they can cause yield-killing defects. By analyzing possible root causes of defect sources, we attempt to eliminate etch-masking scum layer present after conventional developer processing. By applying a post develop rinse including novel hardware for defect reduction, bridge defects were reduced up to 19% with new the technology.
作者:Shinichiro Kawakami (1Tomoya Onitsuka,1Yuya龟井静香,1Satoru志1灿下公园，2李相虎，2李洪久，2徐宰旭，2Jin il Kim，2卢俊浩，2金振亨，2Ki Lyoung Lee，2Nagahara司3.金贞云，4金张焕，4香取Inaba5朴钟恩4
1东京电子九州株式会社(日本)
2SK海力士(韩国)
3.东京电子有限公司(日本)
4东京电子韩国有限公司(韩国，共和国)
5东京电子韩国有限公司(日本)
点击在这里浏览“国家环保学会数码图书馆”的资料(海报及纸张)。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下回复