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未来75年的器件和晶体管


晶体管发明75周年在IEDM上引发了热烈的小组讨论,引发了关于CMOS的未来,III-V和2D材料在未来晶体管中的作用,以及下一个伟大的存储架构将是什么。[1]来自内存、逻辑和研究社区的行业资深人士看到了高na EUV生产、1000层NAND闪存和混合bon…»阅读更多

所有的半导体投资都去了哪里


公司和国家正在向半导体制造、材料和研究投入巨额资金——未来十年至少会投入5000亿美元,甚至更多——以确保芯片和专有技术的稳定供应,以支持越来越多以数据为中心的行业的增长。建立一个重复的供应链,可以保证容量…»阅读更多

用于DRAM应用的金属氧化物抗蚀剂(MOR) EUV光刻工艺


针对DRAM应用,本文报道了利用金属氧化物抗蚀剂(MOR)制备EUV抗蚀剂的关键工艺技术。对于MOR,减少金属污染和CD均匀性(CDU)是曝光后烘烤(PEB)的关键性能要求。基于多年的经验与旋转型Inpria MOR,我们设计了一种新的PEB烤箱,以实现污染…»阅读更多

一周回顾:制造,测试


拜登总统周二签署了《芯片与科学法案》,称“美国回来了,并引领潮流”。同一天,美光科技宣布将在2030年前投资400亿美元,预计将为美国创造4万个就业岗位。“这项立法将使美光能够将国内内存生产从全球市场的不到2%增长到10%。»阅读更多

混合债券进入快车道


业界对I/O密度和芯片(尤其是逻辑和高速缓存存储器)之间更快连接的不可抑制的渴望,正在将系统设计转变为包含3D架构,而混合键合已成为这一方程式中的一个重要组成部分。混合键合涉及芯片到晶圆或晶圆到晶圆的铜垫片连接,这些铜垫片携带电源和信号,以及周围的双…»阅读更多

一周回顾,生产,测试


据彭博社报道,美国正试图限制阿斯麦公司的深紫外(DUV)岩光系统向中国的销售。一段时间以来,美国一直在努力限制中国获得先进技术,它已经限制了用于最先进工艺节点开发芯片的极紫外(EUV)的销售。相比之下,DUV用于较老的nod…»阅读更多

一周回顾:制造,测试


英特尔警告称,俄亥俄州晶圆厂扩建的“范围和速度”可能会受到影响,因为美国国会不为520亿美元的CHIPS法案提供资金。该设施于今年1月宣布,初始阶段投资超过200亿美元,未来10年将扩大至1000亿美元。初始阶段预计不会受到影响,除了一些…»阅读更多

高na EUV可能比看起来更近


高na EUV有望缩小至埃级,为晶体管数量更高的芯片以及一波全新的工具、材料和系统架构奠定了基础。在最近的SPIE先进光刻会议上,英特尔光刻硬件和解决方案总监Mark Phillips重申了该公司在高端市场部署该技术的意图。»阅读更多

一周回顾:制造,测试


美国政府推迟为战略芯片产能提供资金,正威胁到对国家安全至关重要的供应链。事实上,本周就这个问题举行了秘密会议。与此同时,一群亿万富翁认识到时间是至关重要的,他们支持了“美国前沿基金”,这是一个旨在促进美国芯片产业发展的非营利组织。»阅读更多

一周回顾:制造,测试


在本周的ECTC会议上,CEA-Leti和英特尔展示了一种“优化的混合直接键合自组装工艺”,他们声称该工艺有可能提高对准精度,并将晶片厂的产量提高到每小时数千个晶片。该方法利用水滴的毛细力使模具对准目标晶圆。“商业年代……»阅读更多

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