标签:金属氧化物抗拒

金属氧化物抵制DRAM(铁道部)EUV光刻过程的应用程序
通过电话- 10月19日,2022 -评论:0

本文报告准备的关键EUV抵抗过程技术使用金属氧化物抵制(铁道部)DRAM的目标应用程序。铁道部,减少金属污染和CD一致性(CDU)是关键性能需求预期有关接触后烤(PEB)。基于多年的经验与自旋对类型Inpria铁道部,我们设计了一个新的钢炉实现污染……»阅读更多

Nanosheet场效应晶体管驱动计量和检验的变化
通过凯伦·海曼- 09年8月,2022 -评论:0

在摩尔定律的世界里,它已成为一个不争的事实,较小的节点会导致更大的问题。随着晶圆厂转向nanosheet晶体管,它正变得越来越有挑战性检测直线边缘粗糙度和其他缺陷由于这些和其他多层结构的深度和混浊。因此,计量更大的混合方法,与一些著名的工具移动……»阅读更多

High-NA EUV可能比看起来更亲密
通过凯瑟琳德比郡- 6月16日,2022 -评论:1

High-NA EUV有望使扩展到埃水平,为芯片与更高的晶体管数量和一个全新的工具,材料,和系统架构。在最近有先进光刻技术会议上,马克·菲利普斯光刻硬件和应用解决方案的主管英特尔,重申公司的打算部署技术在高…»阅读更多

更快的收益率坡道策略5 nm芯片
通过劳拉·彼得斯4月- 12,2022 -评论:0

主要芯片制造商台积电和三星在高容量生产5纳米设备生产和台积电它正在稳步推进计划年底前前3纳米硅。但以满足这种积极的目标,工程师必须确定缺陷和斜坡产生的速度比以前更快了。对付EUV随机缺陷——无重复模式的缺陷,如微桥断了线,或失踪……»阅读更多

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