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标签:动态随机存取记忆体

在微处理器设计空间中利用多代理RL (Harvard，谷歌)
通过技术文件链接- 2022年12月13日-意见:0

哈佛大学和谷歌研究小组的研究人员发表了一篇题为“微处理器设计空间探索的多智能体强化学习”的新技术论文。微处理器架构师越来越多地求助于特定领域的定制，以追求高性能和能源效率。随着系统变得越来越复杂，微调变得越来越复杂。»阅读更多

基于2d材料的电子电路(KAUST和TSMC)
通过技术文件链接- 2022年12月6日-评论:0

KAUST材料科学与工程副教授Mario Lanza博士和TSMC公司研究员Iuliana Radu刚刚发表了一篇题为“由2D材料制成的电子电路”的特别版文章。这特刊涵盖了21篇文章，从领先的主题专家，从材料合成和他们的集成在微/纳米电子器件和c…»阅读更多

Rowhammer:近期发展和未来方向(苏黎世联邦理工学院)
通过技术文件链接- 2022年11月20日-评论:0

苏黎世联邦理工学院的研究人员发表了一篇题为“从根本上理解和解决RowHammer”的新技术论文。摘要:“我们概述了RowHammer漏洞的最新发展和未来发展方向，该漏洞困扰着现代DRAM(动态随机内存访问)芯片，几乎所有的计算系统都将其用作主存储器。RowHammer是……»阅读更多

基于交叉杆结构的可扩展光学人工智能加速器
通过技术文件链接- 2022年11月8日-评论:0

华盛顿大学的研究人员发表了一篇名为“使用PCM进行AI加速的可伸缩相干光交叉条架构”的新技术论文。摘要:“光计算最近被提出作为一种新的计算范式，以满足数据中心和超级计算机中未来AI/ML工作负载的需求。然而，到目前为止，提议的实现遭受缺乏sc…»阅读更多

基于内存的网络攻击变得更加复杂，难以检测
通过官约翰- 2022年11月3日-评论:0

存储器正在成为网络攻击的切入点，引发了人们对系统级安全的担忧，因为存储器在电子产品中几乎无处不在，而漏洞很难被发现。黑客瞄准了几乎每一个消费者、工业和商业部门，以及越来越多连接到互联网和相互连接的设备，这种情况还没有结束的迹象。根据……»阅读更多

晶圆清洗成为制造3D结构的关键挑战
通过阿黛尔神秘圣地- 2022年10月20日-评论:0

晶圆清洗，曾经是一个非常简单的任务，就像将晶圆浸入清洗液中一样简单，现在正成为制造GAA fet和3d - ic的最大工程挑战之一。随着这些新的3D结构——有些即将出现，但有些已经在大批量生产中——半导体晶圆设备和湿式清洗业务的材料供应商处于震中……»阅读更多

深入了解先进的DRAM电容器模式:使用虚拟制造的工艺窗口评估
通过Qingpeng王- 2022年10月20日-评论:0

随着设备的不断扩展，由于较小的特征尺寸和较大的工艺步骤可变性，工艺窗口变得越来越窄[1]。在半导体开发的研发阶段，一个关键的任务是选择一个具有较大工艺窗口的良好集成方案。在晶圆测试数据有限的情况下，评估不同集成方案的制程窗口可以…»阅读更多

用于DRAM应用的金属氧化物抗蚀剂(MOR) EUV光刻工艺
通过电话- 2022年10月19日-评论:0

针对DRAM应用，本文报道了利用金属氧化物抗蚀剂(MOR)制备EUV抗蚀剂的关键工艺技术。对于MOR，减少金属污染和CD均匀性(CDU)是曝光后烘烤(PEB)的关键性能要求。基于多年的经验与旋转型Inpria MOR，我们设计了一种新的PEB烤箱，以实现污染…»阅读更多

通过过程窗口建模寻路
通过Coventor- 2022年10月19日-评论:0

在先进的DRAM中，设计紧密封装模式的电容器以增加电池密度。因此，可能需要先进的制版方案，如多重蚀刻、SADP和SAQP工艺。在本文中，我们使用SEMulator3D®中的虚拟制造和统计分析，系统地评估了包括SADP和SAQP模式在内的DRAM电容器空穴形成过程。…»阅读更多

内存-计算解耦执行以实现理想的全银行PIM性能
通过技术文件链接- 2022年10月18日-评论:0

韩国高丽大学的研究人员发表了一篇题为“使用标准内存接口实现全银行In-DRAM PIM的性能:内存-计算解耦”的新技术论文。“本文提出了内存计算解耦的PIM架构，以提供与全库PIM相当的性能，同时保留标准DRAM接口，即DRAM命令，功率…»阅读更多

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