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技术论文

Rowhammer:近期发展和未来方向(苏黎世联邦理工学院)

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苏黎世联邦理工学院的研究人员发表了一篇题为“从根本上理解和解决RowHammer”的新技术论文。

文摘:
“我们提供了RowHammer漏洞的最新发展和未来方向的概述,该漏洞困扰着现代DRAM(动态随机内存访问)芯片,几乎所有的计算系统都将其用作主存储器。

RowHammer是一种现象,在真实的DRAM芯片中,重复访问一行会导致物理上相邻行的位翻转(即数据损坏)。这一现象会导致严重而广泛的系统安全漏洞,自2014年RowHammer最初的论文以来的许多工作都表明了这一点。最近对RowHammer现象的分析显示,随着DRAM技术的不断扩展,问题变得越来越严重:从根本上说,较新的DRAM芯片在设备和电路层面更容易受到RowHammer的攻击。对RowHammer的深入分析表明,该问题涉及多个维度,因为该漏洞对许多变量都很敏感,包括环境条件(温度&电压)、进程变化、存储数据模式以及内存访问模式和内存控制策略。因此,很难设计出完全安全且非常有效(即在性能、能量和面积方面的低开销)的RowHammer保护机制,并且DRAM制造商所做的尝试已被证明缺乏安全保证。

在回顾了开发、理解和减轻RowHammer的各种最新发展之后,我们讨论了我们认为对解决RowHammer问题至关重要的未来方向。我们认为有两个主要方向可以扩大研究和开发工作:1)在前沿DRAM芯片和部署在该领域的计算系统中,对问题及其多个维度建立更深入的理解;2)通过系统内存合作设计和开发极其高效和完全安全的解决方案。”

找到这里是技术文件.出版于2022年11月。

作者:Onur Mutlu, Ataberk Olgun, A. Giray Yağlıkçı。arXiv: 2211.07613 v1。

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