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深入了解先进的DRAM电容器模式:使用虚拟制造的工艺窗口评估


随着设备的不断扩展,由于较小的特征尺寸和较大的工艺步骤可变性,工艺窗口变得越来越窄[1]。在半导体开发的研发阶段,一个关键的任务是选择一个具有较大工艺窗口的良好集成方案。在晶圆测试数据有限的情况下,评估不同集成方案的制程窗口可以…»阅读更多

利用虚拟实验设计加速半导体工艺开发


实验设计(DOE)是半导体工程研究与开发中的一个重要概念。do是一组实验,用于探索实验变量的敏感性及其对最终设备性能的影响。设计良好的DOE可以帮助工程师通过有限数量的实验晶圆运行实现半导体器件的目标性能。然而,在……»阅读更多

利用虚拟DOE预测先进FinFET技术的进程窗口和器件性能


随着finFET器件工艺尺度的不断扩大,微加载控制因其对成品率和器件性能的显著影响而变得越来越重要[1-2]。当晶圆片上的局部蚀刻速率取决于现有的特征尺寸和局部图案密度时,就会发生微加载。Uninten……»阅读更多

微负载及其对器件性能的影响


在DRAM结构中,基于电容的存储单元的充放电过程直接由晶体管[1]控制。随着晶体管尺寸接近物理可实现的下限,制造变异性和微负载效应越来越成为DRAM性能(和成品率)的关键限制因素。晶体管的AA(有源面积)尺寸和轮廓…»阅读更多

识别和防止7nm工艺故障


器件成品率高度依赖于适当的工艺目标和制造步骤的变化控制,特别是在具有较小特征尺寸的高级节点上。传统上,需要对数千个测试数据点进行相互关联和分析,以识别和防止过程故障。这在时间和金钱方面都是非常昂贵的。幸运的是,半导体虚拟fab…»阅读更多

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