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标签:动态随机存取记忆体

基于内存的网络攻击变得更加复杂，难以检测
通过官约翰- 2022年11月3日-评论:0

存储器正在成为网络攻击的切入点，引发了人们对系统级安全的担忧，因为存储器在电子产品中几乎无处不在，而漏洞很难被发现。黑客瞄准了几乎每一个消费者、工业和商业部门，以及越来越多连接到互联网和相互连接的设备，这种情况还没有结束的迹象。根据……»阅读更多

晶圆清洗成为制造3D结构的关键挑战
通过阿黛尔神秘圣地- 2022年10月20日-评论:0

晶圆清洗，曾经是一个非常简单的任务，就像将晶圆浸入清洗液中一样简单，现在正成为制造GAA fet和3d - ic的最大工程挑战之一。随着这些新的3D结构——有些即将出现，但有些已经在大批量生产中——半导体晶圆设备和湿式清洗业务的材料供应商处于震中……»阅读更多

深入了解先进的DRAM电容器模式:使用虚拟制造的工艺窗口评估
通过Qingpeng王- 2022年10月20日-评论:0

随着设备的不断扩展，由于较小的特征尺寸和较大的工艺步骤可变性，工艺窗口变得越来越窄[1]。在半导体开发的研发阶段，一个关键的任务是选择一个具有较大工艺窗口的良好集成方案。在晶圆测试数据有限的情况下，评估不同集成方案的制程窗口可以…»阅读更多

用于DRAM应用的金属氧化物抗蚀剂(MOR) EUV光刻工艺
通过电话- 2022年10月19日-评论:0

针对DRAM应用，本文报道了利用金属氧化物抗蚀剂(MOR)制备EUV抗蚀剂的关键工艺技术。对于MOR，减少金属污染和CD均匀性(CDU)是曝光后烘烤(PEB)的关键性能要求。基于多年的经验与旋转型Inpria MOR，我们设计了一种新的PEB烤箱，以实现污染…»阅读更多

通过过程窗口建模寻路
通过Coventor- 2022年10月19日-评论:0

在先进的DRAM中，设计紧密封装模式的电容器以增加电池密度。因此，可能需要先进的制版方案，如多重蚀刻、SADP和SAQP工艺。在本文中，我们使用SEMulator3D®中的虚拟制造和统计分析，系统地评估了包括SADP和SAQP模式在内的DRAM电容器空穴形成过程。…»阅读更多

内存-计算解耦执行以实现理想的全银行PIM性能
通过技术文件链接- 2022年10月18日-评论:0

韩国高丽大学的研究人员发表了一篇题为“使用标准内存接口实现全银行In-DRAM PIM的性能:内存-计算解耦”的新技术论文。“本文提出了内存计算解耦的PIM架构，以提供与全库PIM相当的性能，同时保留标准DRAM接口，即DRAM命令，功率…»阅读更多

降低现货DRAM芯片的刷新延迟
通过技术文件链接- 2022年9月28日-评论:0

ETH Zürich、TOBB经济技术大学和加利西亚超级计算中心(CESGA)的研究人员发表了一篇题为“HiRA:用于降低现成DRAM芯片刷新延迟的隐藏行激活”的新技术论文。摘要DRAM是现代主存系统的基石。为了防止数据丢失，需要定期刷新DRAM单元。为什么刷新…»阅读更多

内存设计如何优化系统性能
通过官约翰- 2022年9月21日-评论:0

数据的指数级增长以及对提高数据处理性能的需求催生了各种处理器设计和封装的新方法，但这也推动了内存方面的巨大变化。虽然底层技术看起来仍然非常熟悉，但真正的转变在于这些内存与系统中处理元素和各种组件的连接方式……»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过凯伦·海曼- 2022年9月16日-评论:0

拜登总统9月15日签署了一项行政命令，限制被视为对美国国家安全构成威胁的“竞争对手或敌对国家”对美国技术的外国投资。在过去，美国外国投资委员会(CFIUS)的行动主要局限于出售美国公司。新指令将范围扩大到涉及“美国投资”的投资。»阅读更多

将内存控制器从管理DRAM维护操作中解放出来(苏黎世ETH)
通过技术文件链接- 2022年9月14日-评论:0

苏黎世联邦理工学院的研究人员发表了一篇题为“自我管理DRAM芯片的案例:通过自主DRAM维护操作提高性能、效率、可靠性和安全性”的新技术论文。摘要:“当前DRAM芯片的刚性接口使内存控制器完全负责DRAM的控制。即使是DRAM维护操作，这是用来en…»阅读更多

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