大规模的工厂建设在美国;新建筑在印度;中国的投资限制。
总统拜登签署了一项行政命令9月15日,限制外国投资在美国技术“竞争对手或敌对的国家”,被认为对国家安全构成威胁。在过去,美国外国投资委员会(CFIUS)很大程度上限制其行动的美国公司的销售。新指令扩展到包括涉及“美国的投资可能影响国家安全的供应链,包括国防工业基地以外,“和那些可能影响国内技术领先地位在微电子等领域,人工智能,生物技术,bio-manufacturing,量子计算,先进的清洁能源,和适应气候变化技术。
开创性和投资继续快速通道后美国芯片和科学行为。
9月12日,微米工厂破土动工爱达荷州博伊西市的第一DRAM晶片将于2025年开始。
同一天,ASML举行仪式来纪念2亿美元的扩张现有的威尔顿,康涅狄格州,设施。
开创性的英特尔的“硅腹地”工厂9月9日在俄亥俄州总统拜登发表讲话对半导体行业成就由于芯片和科学行为。他引用英特尔,微米,GlobalFoundries,高通,Wolfspeed投资的名字。
也在9月9日,Wolfspeed宣布将建立一个新的、数十亿美元材料制造工厂在查塔姆县,北卡罗来纳州
台湾的GlobalWafers预计在11月新开工建设在德克萨斯州50亿美元的工厂。工厂将生产300毫米晶圆。这将是第一个硅片设施在美国20多年,根据美国商务部。
富士康和吠檀多将投资195亿美元在吗在印度的第一晶体管制造工厂。“印度的硅谷现在又进了一步,”说Anil Agarwal,韦丹塔的主席。
还在印度,林的研究开了一个工程中心在班加罗尔。新实验室将专注于研发,工程,和测试的下一代DRAM晶片制造的硬件和软件,NAND和逻辑技术。
上海是中国样式本身半导体高地,现在的城市占四分之一的中国半导体价值产出和使用该国40%的芯片人才。
电话发布了一个综合利益相关者报告,它概述了中长期利润目标和企业价值提升的目标。据报道¥2 t收入在2022财年的目标¥2027年3 t。电话的可持续发展目标包括减少70%的二氧化碳排放量2031财年和2019。
联华电子和雪崩技术宣布立即可用性的一个新的高可靠性的持久存储器(P-SRAM),非易失性存储设备将使用联电的22 nm制程技术制作的。
SkyWater将制造芯片科技创业公司可以用来开发新的纳米技术和半导体器件合作研发协议在美国商务部国家标准与技术研究所(NIST),谷歌。
效果显著推广效果显著ACS的解决方案商店,一个在线平台对ACS实时数据的访问基础设施解决方案和软件应用程序。
台积电和英伟达开发硅光子学技术被称为车(通用紧凑光子引擎),它将结合多个gpu。
苹果目标是成为第一家使用一个更新的版本台积电的明年3纳米技术一些iphone和Mac电脑,据报告。
德国汉高收购了热管理材料业务的Nanoramic(原FastCAP系统)发展热界面材料(蒂姆)基于碳纳米管。此外,德国汉高宣布其最新的商业化半导体级毛细管填充不足(CUF)配方先进的包装应用。材料,乐泰EccobondUF 9000 ag),使先进的倒装芯片组装。
Techcet预计2022年总集成电路电镀收入在年底前将增长8.1%达到10.19亿美元,预计CAGR为7.2%到2026年。“电镀市场的主要增长动力包括增加在下一代先进互连层逻辑设备节点,“州Karey荷兰,Techcet首席策略师。
中国的投资今年有望达到8.8亿美元左右,至少十几年来第二高水平,显示保卫民主基金会的,一个智库。中国企业约占75%的覆盖在这个最新的芯片行业创业融资报告。
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