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作者最新文章

通过工艺窗口建模寻径:使用虚拟制造的高级DRAM电容器模式化工艺窗口评估
通过Coventor- 2022年12月14日-意见:0

在先进的DRAM中，设计紧密封装模式的电容器以增加电池密度。因此，可能需要先进的制版方案，如多重蚀刻、SADP和SAQP工艺。在本文中，我们系统地评估了一个DRAM电容器空穴形成过程，包括SADP和SAQP模式，使用虚拟制造和统计分析在SEMulator3D。聚氨酯……»阅读更多

通过过程窗口建模寻路
通过Coventor- 2022年10月19日-评论:0

在先进的DRAM中，设计紧密封装模式的电容器以增加电池密度。因此，可能需要先进的制版方案，如多重蚀刻、SADP和SAQP工艺。在本文中，我们使用SEMulator3D®中的虚拟制造和统计分析，系统地评估了包括SADP和SAQP模式在内的DRAM电容器空穴形成过程。…»阅读更多

基于虚拟加工的线边缘粗糙度对金属线电阻影响的研究
通过Coventor- 2022年9月15日-评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为限制先进节点芯片运算速度的主要因素。这是因为较小的金属线间距需要更窄的线CD和线对线间距，这引入了更高的金属线电阻和线对线电容。表面散射效应是在较小金属线间距时金属电阻率呈指数级增加的根本原因。»阅读更多

超低谐振频率MEMS重力仪的离谐振闭环控制
通过Coventor- 2022年6月16日-评论:0

本文报道了一种具有闭环系统以保持1Hz的超低谐振频率的MEMS重力仪。低共振频率是通过使用由正机械刚度和负电刚度组成的弹簧来实现的。电气刚度的电压可调使总刚度超小且可调。为了获得快速反应……»阅读更多

虚拟加工提高良率
通过Coventor- 2022年4月20日-意见:0

本文给出了一个利用虚拟加工技术提高良率的实例。本案例以一个基于7纳米节点技术的6晶体管静态随机存取存储器为例。对过孔接触-金属边缘放置误差引起的屈服损失进行了建模和分析。结果表明，通过优化工艺窗口和改进工艺参数，可使产率由48.4%提高到99.0%。»阅读更多

一种多阶调谐的亚1hz谐振腔微地震检波器
通过Coventor- 2022年2月17日-评论:0

我们提出了一种谐振频率低于1hz的MEMS谐振器，可用于地震仪。低谐振频率是通过一个具有超小弹簧常数的电可调谐弹簧实现的。一般来说，很难在接近零的弹簧常数下对谐振频率进行电气微调，因为每电压的频率漂移将在零弹簧常数的极限处发散。»阅读更多

评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET器件性能的影响
通过Coventor- 2021年9月15日-评论

本文利用SEMulator3D虚拟制造平台构建了一个5nm FinFET流。使用SEMulator3D的模式依赖蚀刻功能研究了不同的STI(浅沟隔离)凹槽轮廓，包括沟槽/地基轮廓、鳍片高度和不平衡鳍片高度的变化。然后研究了STI隐窝轮廓对器件性能的影响。»阅读更多

使用虚拟制造的器件性能工艺变化分析-在CMOS 14纳米FinFET器件上演示的方法
通过Coventor- 2021年8月18日-评论:0

提出了一种新的方法来评估制造固有工艺变异性对14纳米翅片场效应晶体管(FinFET)器件性能的影响。通过虚拟设备的制作和测试，建立了FinFET器件的模型。该模型随后在实验设计角案例数据上进行校准，这些数据是在有限数量的加工晶圆上收集的。W……»阅读更多

聚角蚀刻残渣对先进FinFET器件性能的影响
通过Coventor- 2021年7月21日-意见:0

在本文中，我们利用虚拟制造的方法研究了在5nm FinFET多聚蚀刻过程中聚角残留的影响。系统研究了多角形残渣对硬失效模式和器件性能的影响。我们的结果表明，较大的宽度和高度残留物可以导致硬故障，通过在源/漏外延和…»阅读更多

过程模型校准:建立预测和准确的三维过程模型的关键
通过Coventor- 2021年6月16日-评论:0

半导体行业一直面临着器件扩展、架构演变、工艺复杂性和集成带来的挑战。这些挑战与快速向市场提供新技术的需求相结合。在半导体技术发展的初始阶段，创新的工艺流程方案必须使用硅测试晶圆进行测试。这些晶圆测试是len…»阅读更多

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