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标签:EUV光刻

期待相比
通过凯瑟琳德比郡2023年2月- 16(-评论:0

今年的前夕有先进光刻+模式会议上,我看了看IEEE设备和系统路线图的光刻技术部分。尤其引人注目的EUV光刻技术的出现,已迅速成为先进逻辑的关键。High-NA工具以支持更小的尺寸。不过,在近期的关键挑战不是……»阅读更多

映射光刻技术的未来
通过哈里·莱文森2023年2月- 16(-评论:0

有先进光刻+模式(AL + P)研讨会石版家始终是一个有用的事件,和看着推进计划,看来AL + P 2023也不例外。关键石印挑战过程中正在取得的进展一直感兴趣的参与者,而且会有很多及时的报告,解决当前问题的意义。例如,r……»阅读更多

实现Sub-30-Pitch EUV光刻技术的应用程序功能的自旋对玻璃
通过布鲁尔科学- 10月19日,2022 -评论:0

光致抗蚀剂指标如决议、粗糙度、CD一致性,和总体流程窗口通常旨在实现全部潜能的EUV光刻。从材料供应商的角度,改善上述指标可以通过优化功能材料在抗拒。通过提供底层可以显著提高抵抗性能……»阅读更多

金属氧化物抵制DRAM(铁道部)EUV光刻过程的应用程序
通过电话- 10月19日,2022 -评论:0

本文报告准备的关键EUV抵抗过程技术使用金属氧化物抵制(铁道部)DRAM的目标应用程序。铁道部,减少金属污染和CD一致性(CDU)是关键性能需求预期有关接触后烤(PEB)。基于多年的经验与自旋对类型Inpria铁道部,我们设计了一个新的钢炉实现污染……»阅读更多

毫升架构为物质波光刻解决逆问题:LACENET
通过技术论文链接8月29日,2022 -评论:0

最近的技术论文题为“现实的类似面具代光刻通过机器学习”由卑尔根大学的研究人员发表(挪威)。文摘:“快速生产大面积纳米分辨率的模式建立了半导体行业是至关重要的,为使新一代量子的工业化生产设备。Metasta……»阅读更多

High-NA EUV可能比看起来更亲密
通过凯瑟琳德比郡- 6月16日,2022 -评论:1

High-NA EUV有望使扩展到埃水平,为芯片与更高的晶体管数量和一个全新的工具,材料,和系统架构。在最近有先进光刻技术会议上,马克·菲利普斯光刻硬件和应用解决方案的主管英特尔,重申公司的打算部署技术在高…»阅读更多

高温稳定的自旋对碳材料的先进模式传递应用程序
通过布鲁尔科学- 6月16日,2022 -评论:0

近年来出现了强劲需求自旋对碳(SOC)材料与高温过程兼容。这个要求是使使用高温SOC (HTSOC)材料在集成计划利用化学气相沉积(CVD)和/或原子层沉积(ALD)过程。除了兼容高温沉积过程,planari……»阅读更多

对薄膜的电阻率和发射率膜对EUV光刻
通过技术论文链接- 01年4月,2022 -评论:0

新技术从汉阳大学和德克萨斯大学达拉斯。抽象的“薄膜是一种薄膜结构,保护一个极端的紫外线(EUV)面具在曝光过程中污染。然而,其有限的透光率引发不必要的加热由于EUV光子的吸收。破裂的EUV薄膜可以避免通过改善其其他……»阅读更多

国际设备和系统路线图光刻技术路线图
通过技术论文链接11月19日,2021 -评论:0

文摘:“背景:计划提高半导体芯片的性能历史上推动改善光刻这预计将继续在未来。国际设备和系统路线图可以帮助行业路线图规划未来。目的:2021年的光刻技术路线图显示了需求,可能的选项,和挑战未来15年。脸上……»阅读更多

High-NA EUVL:光刻技术的下一个主要步骤
通过技术论文链接- 05年10月,2021 -评论:0

“在2025年,我们期望看到的第一个high-NA极端紫外线(EUV)光刻设备大批量制造环境。这些下一代光刻系统将是关键,推进贸易和投资自由化便利化摩尔定律的逻辑2纳米技术生成和超越。在这篇文章中,imec科学家和工程师参与准备这个主要引擎…»阅读更多

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