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技术论文

EUV光刻用薄膜电阻率和发射率的研究

研究人员提出了一种开发热稳定性更好的EUV薄膜的方法,可以承受高功率EUV光源。

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汉阳大学和德克萨斯大学达拉斯分校的新技术论文。

摘要
“薄膜是一种薄膜结构,可以保护极紫外(EUV)口罩在曝光过程中不受污染。然而,由于EUV光子的吸收,其有限的透光率会引起不必要的加热。通过提高薄膜的发射率来提高薄膜的热稳定性,可以避免EUV薄膜的破裂。然而,薄膜的发射率数据在文献中并不容易获得,其数值对厚度非常敏感。因此,我们研究了发射率与结构参数的相关性,如厚度、表面粗糙度和晶粒尺寸。我们利用理论和实验方法发现了电阻率和发射率之间的相关性。通过改变Ru薄膜的晶粒尺寸,通过实验验证了电阻率与发射率的关系,并采用Lorentz-Drude模型进行了验证。最后,我们提出了一种开发具有更好热稳定性的EUV薄膜的方法,可以承受高功率EUV光源。”

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Wi,中华民国;张成泽,Y.J.;金,h;曹,k;用于EUV光刻的薄膜的电阻率和发射率的研究。膜2022,12,367。https://doi.org/10.3390/membranes12040367。

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