挑战和发展最先进的流程节点。
有先进光刻+模式(AL + P)研讨会石版家始终是一个有用的事件,和看着推进计划,看来AL + P 2023也不例外。关键石印挑战过程中正在取得的进展一直感兴趣的参与者,而且会有很多及时的报告,解决当前问题的意义。
例如,抵抗能力一直是EUV光刻挑战多年来,它将会很高兴见到在最近几个月已经取得了进展。金属氧化物拒绝表明承诺,我期待发现如果这些材料现在终于被用于大批量生产。这将是很高兴看到最近的状态引入EUV抵制在真空沉积。也许我们还会看到新的小说抵制先进光刻技术可以提供解决方案。人们开始研究抵抗开发过程更密切,我期待看到最近学到什么新东西。更高的照射剂量要求EUV抗拒一直预计,这将是有趣的,看看最新的结果证实或反驳这些预测。在过去的会议,resist-underlayer交互识别的重要性。今年,有几个关于这一主题的论文,所以这将是很高兴见到如果这已经成为更好的理解,如果好衬层解决方案被发现特定的抗拒。
因为面具3 d效果,计算方面的EUV光刻技术被证明是特别具有挑战性和复杂,这将是有趣的,看看在这方面已经取得了进展。大大提高吸收材料被确认为EUV掩,也许attPSM,将减少面罩3 d效果的问题?即使对于光学光刻技术,还有计算挑战。现在更多的公司扩展光学光刻技术和提高收益率通过应用逆光刻技术(ILT)完整的芯片?
教师的应用使得自然曲线特征的介绍上的面具。今年,一篇论文的作者imec将描述曲线的扩展功能的设计。曲线和曲线特性的引入是伴随着许多新的问题需要解决。是产业聚集曲线特性的数据格式?线/空间模式,我们长期使用过程控制的关键维度的概念和设计规则,甚至这一概念已成为复杂当我们考虑直线边缘粗糙度。对弯曲的特性,描述维控制指标我们会使用什么?健壮的方法会去扫描电镜测量弯曲特性的发现在边缘粗糙度的存在吗?
当我们接近ASML预计的日期有第一high-NA EUV曝光工具操作,这将是有趣的,看看他们已经能够维持他们的时间表。ASML最近表示,他们正在调查EUV曝光系统与NA≥0.75;也许我们会听到一些实质性的AL + P对他们的计划?我们会看到一个过渡到一个300毫米圆形EUV掩格式吗?
学报主编的《微/ Nanopatterning,材料,和计量(JM3系列),我总是在寻找材料,可以JM3系列的好论文的基础。有趣的技术资料是必要的,但还需要作者可以写好。
会有论文多波束和尼康对直写光刻工具,使用电子束和另一个光学。人们一直在谈论直写光刻多年,所以这将是很高兴得到更新设备公司似乎接近使这种方法成为现实。
集团全体人看起来特别强,我期待听到他们的观点和见解在光刻技术和半导体行业。
有很多抽象的预先计划+ P 2023看起来有趣,很多,事实上,我将无法听到生活所有我感兴趣的论文,由于冲突并行会话(即使功能会议应用程序无法解决)。我期待观看不少录像在研讨会后的一周。发现这么多的文件之间的冲突,说明铝+ P作为会议的质量。
每个基地的重要组成部分+ P研讨会是我们与我们的互动模式的技术专家。这些包括与长期的同事讨论,但也很高兴认识新朋友,尤其是年轻的工程师将继续光刻技术的发展在未来。去年的AL + P研讨会是一个面对面的会议,但很少来自亚洲的同事能够参加由于Covid挥之不去的限制。我期待着今年的研讨会,更多的全球光刻社区能够聚在一起。
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