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绘制光刻技术的未来


SPIE高级光刻+制版(AL+P)研讨会始终是一个信息丰富的事件,并查看高级计划,似乎AL+P 2023也不例外。与会者始终对关键光刻挑战所取得的进展感兴趣,并将有许多及时的演讲,解决当前重要的问题。例如,r…»阅读更多

多波束掩模编写器是游戏规则的改变者


eBeam Initiative在2022年第11次年度灯具调查中报告了对多光束掩模写入器的强劲采购预测,从而实现了EUV和曲线掩模的增长。在9月下旬与SPIE掩模技术会议同时举行的活动中,专家小组讨论了曲线掩模采用的剩余障碍。行业名人代表44家公司…»阅读更多

新一代掩模的未解决问题


专家会议:半导体工程公司坐下来讨论光学和EUV掩模问题,以及掩模业务面临的挑战,DNP研究员Naoya Hayashi;Peter Buck,西门子数字工业软件MPC和掩模缺陷管理总监;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村昭。f…»阅读更多

3nm及以上的掩模挑战


专家会议:半导体工程公司坐下来讨论光学和EUV掩模问题,以及掩模业务面临的挑战,DNP研究员Naoya Hayashi;Peter Buck,西门子数字工业软件MPC和掩模缺陷管理总监;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村昭。f…»阅读更多

光掩模的业务和技术挑战增加


专家会议:半导体工程公司坐下来讨论光学和EUV掩模问题,以及掩模业务面临的挑战,DNP研究员Naoya Hayashi;Peter Buck,西门子数字工业软件MPC和掩模缺陷管理总监;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村昭。f…»阅读更多

为高na EUV做准备


半导体行业正在全速发展高na EUV,但提出这种下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一项艰巨而昂贵的任务。阿斯麦公司开发其高数值孔径(高na) EUV光刻线已有一段时间了。基本上,高na EUV扫描仪是当今EUV光刻系统的后续…»阅读更多

逆光刻技术:30年从概念到实用,全芯片实现


发表在《微/纳米图案、材料和计量学》杂志上,2021年8月31日。在这里阅读完整的技术论文(开放获取)。摘要在光刻技术中,为了获得最佳的晶圆打印效果,需要对光学接近度和工艺偏差/效应进行校正。纠正这些影响的努力从一个简单的偏差开始,在线端增加一个锤头,以防止线端缩短。T…»阅读更多

优化曲线遮罩的VSB射击数


使用可变形状电子束(VSB)写入器增加的掩模写入时间一直是反光刻技术(ILT)采用的障碍,而不仅仅局限于热点的使用。本视频博客的第二部分深入探讨了这一挑战。在这个五分钟的面板视频与行业名人,Ezequiel Russell描述了他的公司之间的合作研究…»阅读更多

Fab Tool技术的下一步是什么?


与会专家:Nvidia制造与工业全球业务发展主管Jerry Chen坐下来讨论了极紫外(EUV)光刻技术和其他下一代晶圆厂技术;Lam Research计算产品副总裁David Fried;KLA营销和应用副总裁Mark Shirey;和Aki Fuj…»阅读更多

在晶圆厂使用AI的应用和挑战


与会专家:Nvidia制造与工业全球业务发展主管Jerry Chen坐下来讨论芯片缩放、晶体管、新架构和封装;Lam Research计算产品副总裁David Fried;KLA营销和应用副总裁Mark Shirey;以及D2S首席执行官藤村昭。Wh……»阅读更多

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