剑桥大学、亚琛工业大学和国家材料科学研究所的研究人员发表了一篇题为“将高指数Cu放在高产、干转移CVD石墨烯的地图上”的技术论文。
文摘:
“可靠、干净的二维材料层传输和界面在技术上与它们的生长一样重要。由于巨大的、相互关联的参数空间，将两者结合起来仍然是一个挑战。我们介绍了一种快速筛选描述符方法来演示整个石墨烯- cu模型系统的整个工艺步骤的整体数据驱动优化。我们绘制了石墨烯化学气相沉积、界面Cu氧化以解耦石墨烯及其在反极图上的干分层的晶体学依赖性。它们的叠加使我们能够确定迄今为止尚未开发的(168)高指数Cu取向作为总体最佳取向。我们展示了通过外延近空间升华有效制备这种Cu取向，并以非常高的收率(>95%)和石墨烯畴的质量实现机械转移，室温电子迁移率在40000 cm范围内2我们的方法很容易适用于其他描述符和2D材料系统，我们讨论了这种整体优化的机会。”
找到这里是技术论文。2023年1月出版。
Oliver J. Burton, Zachary Winter, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Bernd Beschoten, Christoph Stampfer和Stephan Hofmann
生物质化学工程学报，2016,33 (2)，379 - 379
DOI: 10.1021 / acsnano.2c09253
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