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研究报告:11月15日


来自大阪大学的科学家开发了一种使用银层直接三维连接铜电极的新方法。该方法在低温下工作,不需要外部压力。“我们的工艺可以在温和的条件下进行,在相对较低的温度下,没有额外的压力,但这些键能够承受…»阅读更多

研究报告:10月4日


韩国科学技术研究院(KIST)、日本国立材料科学研究所和群山国立大学的研究人员设计了基于二维半导体的电子和逻辑器件,其电学性能可以通过一种新的二维电极材料——氯掺杂锡二硒镍选择性控制。»阅读更多

研究报告:8月16日


来自北卡罗莱纳州立大学和剑桥大学的研究人员创造了自组装的基于蛋白质的电路,可以执行简单的逻辑功能,并在量子尺度上利用电子的特性。创建分子电路的一个挑战是电路尺寸减小时的不可靠性。在量子尺度上,电子的行为就像wav…»阅读更多

技术论文综述:7月18日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=33 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。如果你有研究论文,你想推广,我们会审查他们,看看他们是否适合…»阅读更多

使本质上黑暗的物质变亮


新的研究论文题为“通过强光-物质耦合在腔中增强黑暗单层半导体”,来自奥尔登堡卡尔·冯·奥西茨基大学(德国)、冰岛大学、Würzburg大学(德国)、弗里德里希·席勒大学(德国)、亚利桑那州立大学(美国)和筑波国立材料科学研究所(日本)的研究人员。»阅读更多

研究报告:5月31日


碳纳米管晶体管来自国家材料科学研究所、国立科技大学、中国科学院伊曼纽尔生化物理研究所、国家先进工业科学技术研究所、东京大学、天津大学和昆士兰理工大学的研究人员用碳纳米管制造了晶体管。»阅读更多

技术论文综述:5月17日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=27 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。如果你有想要推广的研究论文,我们会审查它们,看看它们是否可行……»阅读更多

用激光切片技术细化GaN-on-GaN HEMTs


新的技术论文“GaN-on-GaN高电子迁移率晶体管的激光切片细化”,来自名古屋大学,滨松光子学和国立材料科学研究所,Tsukuba的研究人员。摘要:“作为一种新开发的切割GaN衬底的技术,目前这种技术非常昂贵,而且损耗小,我们之前在本杂志上报道了一种激光切片技术。在…»阅读更多

制造比特:12月28日


美国国家标准与技术研究所(NIST)发现了一种用显微镜测量微液滴体积的新方法。使用这种技术,NIST测量了小于100万亿分之一升的单个液滴的体积,不确定度小于1%。这代表着与以前的测量相比有了十倍的改善,根据…»阅读更多

金属碳纳米管中半导体纳米通道的热机械手性改变


摘要:“碳纳米管具有螺旋结构,其中手性决定了它们是金属的还是半导体的。利用原位透射电子显微镜,我们通过加热和机械应变来改变局部手性,从而控制单个单壁碳纳米管的电子性质。一种向较大手性角区域转变的趋势。»阅读更多

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