新技术论文”激光片变薄GaN-on-GaN高电子迁移率晶体管”从名古屋大学的研究人员,滨松光子学,和国家材料科学研究所,筑波。
文摘
“作为一个新开发的技术来片GaN基板,目前很贵,用更少的损失,我们之前报道激光切割技术在这个杂志上。在以前的报告,从氮化镓衬底的角度处理,我们只能表明,氮化镓衬底可以通过激光切片,切片氮化镓衬底可以重用。在这项研究中,我们新研究了该方法的适用性作为设备制造过程。我们演示了GaN-on-GaN变薄的高电子迁移率晶体管(HEMTs)使用激光切割技术。即使HEMTs被激光切片的厚度变薄50 mm完成制造过程后,没有明显的裂缝中观察到这些设备,没有观察到不良的激光损伤的影响在电特性。这意味着可以应用激光切割过程即使设备制造。它也可以被用来作为一个全新的半导体制造过程与厚度薄设备10毫米的顺序,同时大大降低了消费GaN基板。”
找到开放获取这里的技术论文。2022年5月出版。
田中,。,Sugiura R。川口,d . et al .激光片变薄GaN-on-GaN高电子迁移率晶体管。7363年Sci代表12日(2022年)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 022 - 10610 - 4
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