标签:高电子迁移率晶体管

氮化镓功率设备:稳定性、可靠性和鲁棒性问题
通过技术论文链接- 4月30日,2023 -评论:0

技术论文题为“氮化镓功率设备的稳定性、可靠性和健壮性:审查”是弗吉尼亚理工学院和州立大学的研究人员发表的,约翰·霍普金斯大学应用物理实验室,和九州大学。“氮化镓(GaN)设备革命推进效率、频率、和电力电子形式。然而,t…»阅读更多

描述的HEMT通过
通过心理契约- 08年11月,2022 -评论:0

Zeta-Series光学分析器提供准确测量和自动分析高纵横比的结构如HEMT通过使用非破坏性和高吞吐量的计量技术。介绍宽禁带半导体材料是极具吸引力的用于电力电子,由于他们的表现能力在高温度、功率和频率。在宽…»阅读更多

变薄的GaN-on-GaN HEMTs用激光切割技术
通过技术论文链接2022年5月- 09年-评论:0

新技术论文”激光片变薄GaN-on-GaN高电子迁移率晶体管”从名古屋大学的研究人员,滨松光子学,和国家材料科学研究所,筑波。文摘”作为新开发的技术切片GaN基板,目前很贵,用更少的损失,我们之前报道的激光切割技术在这个杂志上。在…»阅读更多

功率放大器为5克战争开始
通过马克LaPedus8月24日,2020 -评论:2

需求增加功率放大器芯片和其他射频设备5 g基站,为不同公司和技术之间的摊牌。功率放大器设备是一个关键组件,提高基站的射频功率信号。它是基于两个竞争技术,硅LDMOS或射频氮化镓(GaN)。氮化镓,III-V技术,优于……»阅读更多

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