技术论文题为“氮化镓功率设备的稳定性、可靠性和健壮性:审查”是弗吉尼亚理工学院和州立大学的研究人员发表的,约翰·霍普金斯大学应用物理实验室,和九州大学。
“氮化镓(GaN)设备革命推进效率、频率、和电力电子形式。然而,许多氮化镓材料组成、结构与物理设备从硅和碳化硅设备明显不同。这些区别导致许多独特的稳定性、可靠性和鲁棒性氮化镓功率设备面临的问题。综述目前对这些问题的理解,尤其是那些涉及到动态切换,及其对系统性能的影响,”国家。
发现技术纸在这里。2023年4月出版。
科扎克j . p . et al .,“氮化镓功率设备的稳定性、可靠性和健壮性:一个评论,“在IEEE电力电子,doi: 10.1109 / TPEL.2023.3266365。
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