标签:功率半导体元件

栅极驱动电路没有加速电容器GaN栅注入晶体管
通过技术论文链接2023年5月- 05 -评论:0

技术论文题为“栅驱动电路适合GaN门注入晶体管”是名古屋大学的研究人员发表的。抽象的“甘栅注入晶体管(GIT)作为电力半导体器件有很大潜力。然而,氮化镓GIT gate-source具有二极管特性,因此需要和一个相应的栅极驱动电路。几项研究在lite……»阅读更多

氮化镓功率设备:稳定性、可靠性和鲁棒性问题
通过技术论文链接- 4月30日,2023 -评论:0

技术论文题为“氮化镓功率设备的稳定性、可靠性和健壮性:审查”是弗吉尼亚理工学院和州立大学的研究人员发表的,约翰·霍普金斯大学应用物理实验室,和九州大学。“氮化镓(GaN)设备革命推进效率、频率、和电力电子形式。然而,t…»阅读更多

周评:半导体制造、测试
通过格雷戈里·哈雷- 4月21日,2023 -评论:0

GlobalFoundries在美国纽约地方法院提出起诉针对IBM,指控其非法披露知识产权和商业秘密与IBM合作伙伴,包括英特尔和Rapidus,可能获得数亿美元的许可收入和其他福利。欧盟发布了一个€430亿(470亿美元)的计划重启其半导体制造业,…»阅读更多

混合硅片前景
通过马克LaPedus——2022年1月20日——评论:0

硅片是半导体业务的一个基本组成部分。每个芯片制造商都需要买一个大小或另一个,比如200毫米,300毫米和其他人。硅片厂商生产和销售光或原始硅晶圆芯片制造商,他们反过来过程成芯片。是什么在商店硅片市场?高级研究经理Sungho Yoon半,坐下来和Se……»阅读更多

制造业:5月25日
通过马克LaPedus- 5月25日,2021 -评论:0

高电压GaN Imec和德国爱思强公司股价已经证明了扩展出的能力(GaN)新电压水平在功率半导体市场,使竞争的技术在更广泛的领域。Imec和德国爱思强公司股价已经证明了氮化镓外延生长的缓冲层上胜任1200伏特的应用程序专门200毫米基质与硬故障超过1,……»阅读更多

5技术看
通过马克LaPedus——7月23日,2015 -评论:0

这个行业正在开发一个令人眼花缭乱的新技术。事实上,有比以往更多的新的和创新的技术。列表无数。至少从我的角度,我想出了自己的五大技术列表看在2015年及以后。他们按字母顺序列出。(见下文)。显然,有超过五technologi……»阅读更多

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