技术论文题为“栅驱动电路适合GaN门注入晶体管”是名古屋大学的研究人员发表的。
文摘
“甘栅注入晶体管(GIT)作为电力半导体器件有很大潜力。然而,氮化镓GIT gate-source具有二极管特性,因此需要和一个相应的栅极驱动电路。几项研究在文献中提出了加速电容器的栅极驱动电路,但添加这些电容栅驱动电路复杂,并增加驱动和逆向传导损失。此外,驾驶GaN GIT的栅极驱动电路变得更容易错误的刺激。摘要门驱动电路适合GaN GIT没有加速电容器。这种类型可以提供高速切换,表现出低门驱动损耗和反向传导损失。该电路也有高免疫力假刺激和稳定gate-source电压启动之前和之后。动力损失的类型计算和实验证实了其有效性。此外,驱动器提出了类型的损失相比与传统的电路。结果表明,提出的传动损失类型是提高了50%,相比之下,传统的类型。 Finally, the proposed type is experimentally tested to drive a buck converter at the switching frequency of 150 kHz. The entire loss of the converter can be reduced by up to 9.2% at 250 W, compared with the conventional type.”
找到这里的技术论文。2023年4月出版。
服部f . y .平贺柳泽,j . Imaoka和m .山本”门驱动电路适合GaN栅注入晶体管,“在IEEE访问,doi: 10.1109 / ACCESS.2023.3270261。
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