新技术论文题为“Low-thermal-budget合成单层二硫化钼的硅back-end-of-line集成在一个200毫米平台”由麻省理工学院的研究人员发表,橡树岭国家实验室,爱立信研究。
根据这一麻省理工学院的新闻文章:
“日益增长的2 d材料直接到硅CMOS晶片构成了重大挑战,因为这个过程通常需要约600摄氏度的高温,同时硅晶体管电路可以打破当加热400度以上。现在,跨学科的麻省理工学院的研究小组已经开发出一种低温生长过程,不损坏芯片。这项技术允许将二维半导体晶体管上直接集成的标准硅电路。”
找到这里的技术论文。2023年4月出版。
朱,J。、公园、JH。、Vitale S.A. et al . Low-thermal-budget合成单层二硫化钼的硅back-end-of-line集成在200 mm的平台上。Nanotechnol Nat。(2023)。https://doi.org/10.1038/s41565 - 023 - 01375 - 6。
IBM GlobalFoundries起诉;欧盟的47美元b芯片计划;中国芯片产出下降;空间打造开放我们设施;首先LPDDR闪存;可变形的纳米电子设备;桌面三维x光显微镜。
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