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Backend-of-the-line (BEOL)

集成电路制造工艺,互联。
受欢迎程度

描述

backend-of-the-line (BEOL)的第二个主要阶段半导体制造过程中的形成互联设备。互联微小的布线方案,设备,在每个节点越来越紧凑,导致芯片阻容(RC)延迟。

BEOL,有很多流程步骤,分为两类——模式和双波纹的过程。最初,在流动中,每一个给定的芯片结构的水平必须有图案的布线方案。为此,芯片制造商和多个成像使用193 nm液浸式光刻技术。

铜双波纹的过程包括三个主要部分:金属化;性能电介质;和覆盖层。

在金属化步骤中,一个结构经历了一个扩散障碍蚀刻步骤。然后,通过介质沉积。一个蚀刻步骤然后形成一个缺口,线条和通过形成。

然后,一层阻挡层的钽(Ta)和氮化钽(TaN)材料沉积使用物理气相沉积(PVD)。助教是用来形成衬垫和褐色的障碍。阻挡层是由铜涂层在种子障碍。

最后,结构是电镀铜和地面平使用化学机械抛光。

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