标签:过渡金属dichalcogenide

新的低温增长与制造技术允许2 d材料直接到硅集成电路(麻省理工学院)
通过技术论文链接2023年5月- 05 -评论:0

新技术论文题为“Low-thermal-budget合成单层二硫化钼的硅back-end-of-line集成在一个200毫米平台”由麻省理工学院的研究人员发表,橡树岭国家实验室,爱立信研究。据麻省理工学院的新闻文章:“越来越多的2 d材料直接到硅CMOS晶片构成了重大挑战,因为这个过程你……»阅读更多

新方法确定二维材料扩大(麻省理工学院)
通过技术论文链接11月23日,2022 -评论:0

新技术论文题为“一个统一的方法和描述符二维过渡金属的热膨胀dichalcogenide层”由麻省理工学院研究人员发表和南方科技大学(中国)。“一项新技术,准确地衡量原子薄材料扩大加热后可以帮助工程师发展更快,更强大的电子…»阅读更多

过渡金属氮化物对过渡金属卤化物电介质Dichalcogenide晶体管
通过技术论文链接12月- 20,2021 -评论:0

抽象”使用采用基于计算,我们调查6个氮化过渡金属卤化物(TMNHs): HfNBr, HfNCl, TiNBr, TiNCl, ZrNBr,和ZrNCl作为潜在的范德瓦耳斯就是secu * tanu减去vdW()为过渡金属电介质dichalcogenide (TMD)通道晶体管。我们计算剥落能量和体积声子能量和发现六TMNHs exfoliable和热动力stabl……»阅读更多

系统:7月9日
通过安Mutschler- 09年7月,2013 -评论:0

新的量子计算算法研究的加州大学,圣地亚哥,提出了一种新的算法,量子计算,他们认为将特定类型的问题…但速度更快的计算需要消耗更大的物理资源致力于精确计时。该算法将用于进行任务称为非结构化搜索。去……»阅读更多

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