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标签:二维材料

基于2d材料的电子电路(KAUST和TSMC)
通过技术文件链接- 2022年12月6日-评论:0

KAUST材料科学与工程副教授Mario Lanza博士和TSMC公司研究员Iuliana Radu刚刚发表了一篇题为“由2D材料制成的电子电路”的特别版文章。这特刊涵盖了21篇文章，从领先的主题专家，从材料合成和他们的集成在微/纳米电子器件和c…»阅读更多

确定二维材料如何膨胀的新方法(MIT)
通过技术文件链接- 2022年11月23日-评论:0

麻省理工学院(MIT)和南方科技大学(中国)的研究人员发表了一篇新的技术论文，题为“二维过渡金属二卤代化物单层热膨胀的统一方法和描述符”。“一项新技术可以准确测量原子薄的材料在加热时如何膨胀，可以帮助工程师开发更快、更强大的电子…»阅读更多

基于二维逻辑电路的全晶圆集成(Imec)
通过技术文件链接- 2022年10月28日-评论:0

Imec的研究人员发表了一篇题为“面向高性能晶体管电路的2D半导体晶圆级集成的挑战”的技术论文。“在生产中引入用于高性能逻辑应用的高规模2d电路预计将在基于硅薄片的cet器件之后实现。在这里，一个关于全面waf所需要求的观点…»阅读更多

硅片尺度工具转移石墨烯
通过技术文件链接- 2022年10月18日-评论:0

亚琛工业大学、AMO GmbH、Infineon Technologies、Protemics GmbH和Advantest Europe的研究人员发表了一篇题为“基于半导体行业要求的石墨烯晶圆级转移技术评估”的新技术论文。摘要(部分):“石墨烯是未来电子应用的一个有前途的候选者。制造石墨烯基电极…»阅读更多

基于二维mem晶体管的硬件平台
通过技术文件链接- 2022年10月15日-评论:0

宾夕法尼亚州立大学的研究人员发表了一篇题为“基于二维mem晶体管的贝叶斯网络硬件实现”的新技术论文。“在这项工作中，我们展示了BN[贝叶斯网络]的硬件实现，使用基于二维(2D)半导体(如单层MoS2)的单片memtransistor技术。首先，我们通过实验证明了一种»阅读更多

热扫描探针光刻
通过技术文件链接- 2022年10月13日-评论:0

研究人员在École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)发表了一篇题为“使用热扫描探针光刻技术制造的边缘接触MoS2晶体管”的新技术论文。“热扫描探针光刻(t-SPL)是一种温和的选择，通常使用电子束光刻来制造这些设备，避免使用电子，这是众所周知的……»阅读更多

功能工程MXene晶体管
通过技术文件链接- 2022年9月28日-评论:0

印度科学研究所(IISc)班加罗尔的研究人员发表了一篇题为“具有低阻接触的功能工程MXene晶体管的高通量设计”的新技术论文。摘要(部分):“基于二维材料的晶体管正在被广泛研究CMOS(互补金属氧化物半导体)技术的扩展;然而,下来……»阅读更多

用于物联网安全的二维基于材料的设备实现
通过技术文件链接- 2022年9月14日-评论:0

新加坡国立大学和A*STAR的研究人员发表了一篇名为《二维材料在物联网硬件安全中的应用:进展与展望》的新研究论文。本文探讨了“使用2D材料实现硬件安全，例如，真随机数生成器(trng)，物理不可克隆函数(puf)，伪装和蚂蚁…»阅读更多

基于二维材料的可重构电子器件的现状与最新进展
通过技术文件链接- 2022年8月24日-评论:0

德累斯顿工业大学、NaMLAb gGmbH和亚琛工业大学的研究人员刚刚发表了一篇题为“基于二维材料的新兴可重构电子设备:综述”的新技术论文。摘要:随着硅技术的关键元件晶体管的尺寸接近其物理极限，以新颖的概念和技术发展半导体技术。»阅读更多

结构、晶体管、材料的巨大变化
通过埃德·斯珀林- 2022年8月18日-评论:0

芯片制造商正在为架构、材料以及晶体管和互连等基本结构的根本性变化做准备。最终的结果将是更多的流程步骤，增加每个步骤的复杂性，以及全面上升的成本。在前沿，finfet将在3nm(30埃)节点后的某个地方失去动力。仍在工厂工作的三家铸造厂…»阅读更多

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