新的低温增长与制造技术允许2 d材料直接到硅集成电路(麻省理工学院)


新技术论文题为“Low-thermal-budget合成单层二硫化钼的硅back-end-of-line集成在一个200毫米平台”由麻省理工学院的研究人员发表,橡树岭国家实验室,爱立信研究。据麻省理工学院的新闻文章:“越来越多的2 d材料直接到硅CMOS晶片构成了重大挑战,因为这个过程你……»阅读更多

新方法确定二维材料扩大(麻省理工学院)


新技术论文题为“一个统一的方法和描述符二维过渡金属的热膨胀dichalcogenide层”由麻省理工学院研究人员发表和南方科技大学(中国)。“一项新技术,准确地衡量原子薄材料扩大加热后可以帮助工程师发展更快,更强大的电子…»阅读更多

向前推动二维半导体


的2 d材料取代硅似乎为时过早。虽然二维半导体已成为潜在的继任者,现在还不清楚何时或即使这将会发生。Imec的主任,Iuliana拉量子计算观察和探索,硅的“结束”已经被预言了很多次了。目前尚不清楚当二维半导体需要做好准备。前沿空中管制官…»阅读更多

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