标签:电力设备

栅极驱动电路没有加速电容器GaN栅注入晶体管
通过技术论文链接2023年5月- 05 -评论:0

技术论文题为“栅驱动电路适合GaN门注入晶体管”是名古屋大学的研究人员发表的。抽象的“甘栅注入晶体管(GIT)作为电力半导体器件有很大潜力。然而,氮化镓GIT gate-source具有二极管特性,因此需要和一个相应的栅极驱动电路。几项研究在lite……»阅读更多

氮化镓功率设备:稳定性、可靠性和鲁棒性问题
通过技术论文链接- 4月30日,2023 -评论:0

技术论文题为“氮化镓功率设备的稳定性、可靠性和健壮性:审查”是弗吉尼亚理工学院和州立大学的研究人员发表的,约翰·霍普金斯大学应用物理实验室,和九州大学。“氮化镓(GaN)设备革命推进效率、频率、和电力电子形式。然而,t…»阅读更多

离散电力产品的生产测试
通过Vineet Pancholi10月- 20,2022 -评论:0

Vineet Pancholi和丹尼斯Dinawanao金属氧化物硅场效应晶体管(mosfet),绝缘栅双极型晶体管(igbt),双极结晶体管(是),二极管和应用程序特定multi-transistor打包模块的一些离散的产品更受欢迎。开关控制电路中电流的流动。场效应管是大多数电子的构建块……»阅读更多

周评:设计,低功耗
通过杰西·艾伦- 09年9月,2022 -评论:0

收入排名前十的IC设计公司在全球范围内达到396亿美元2的时候,较上年同期增长了32%,根据Trendforce报告。公司声称这种增长趋势将很难保持之前由于高基期和整体市场状况更糟糕。瑞萨科技推出了RISC-V单片机专门针对先进的电机控制系统进行了优化。新ASSP……»阅读更多

PCB布局的技巧低侧浇口驱动程序(OCP
通过Weidong楚2022年3月- 10 -评论:0

我们1 ed44173/5/6新的低侧浇口驱动ic集成过流保护((OCP),故障状态输出,使函数。这对数控高集成级别是优秀的功率因数校正(PFC)应用程序与提高拓扑和地面参考切换。在PFC应用程序中,分流术是用来感觉电源开关电流或直流总线电流……»阅读更多

寄生特性掌权设计仿真
通过迪丹吉不- 09年3月,2022 -评论:0

两个电源的设计挑战是采取团队进入一个陌生的领域。宽禁带半导体(银行)目标更高的效率和密度。更严格的EMI合规规定现在标准的关键行业。电力设计实践仍迎头赶上。模拟通常需要后座衍生版本硬件原型,直到成功。少了什么,能让sim……»阅读更多

制造GaN /钻石异质结面和界面化学成键状态高效设备的设计
通过技术论文链接2022年1月- 10 -评论:0

抽象的“氮化镓(GaN)的直接集成和钻石为大功率设备让人充满了期待。然而,它是一个巨大的挑战对金刚石生长氮化镓的大格子GaN和钻石和热膨胀系数不匹配。在这部作品中,制造GaN /钻石异质结面成功地通过一个表面激活键(SAB)方法在r……»阅读更多

晶圆厂深入机器学习开车
通过安妮Meixner- 07年9月,2021 -评论:0

先进的机器学习开始侵入产生增强方法晶圆厂和设备制造商寻求识别defectivity模式在晶圆图像的精度和速度更高。每个月一个晶圆厂主要生产数千万wafer-level图像检查、计量和测试。工程师必须分析这些数据来提高产量和拒绝……»阅读更多

现代电力设备SiC mosfet的景观
通过彼得·弗里德里希- 08年4月,2021 -评论:0

多年来,低损失可能高细分领域使碳化硅(SiC)场效应管之间非常受欢迎工程师。目前,他们大多是用于地区igbt(绝缘栅双极型晶体管)之前一直流行的组件的选择。但做SiC mosfet扮演的角色在今天的风景电力设备?与碳化硅mosfet (Metal-Oxide-Semicond…»阅读更多

流动性和5 g驱动采用新材料电力设备
通过瑟瑞娜Brischetto- 1月21日,2021 -评论:0

电迁移、可再生能源、物联网等技术创新,5 g,智能制造、和机器人都需要可靠性、效率、和紧凑的电力系统,加剧了采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)支持低电压小得多的设备。但芯片设计者必须克服的技术和经济挑战int……»阅读更多

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