摘要
“氮化镓(GaN)和金刚石的直接集成为大功率器件提供了很大的前景。然而，由于GaN与金刚石之间存在较大的晶格和热膨胀系数不匹配，因此在金刚石上生长GaN是一个很大的挑战。本文采用表面激活键合(SAB)方法在室温下成功制备了氮化镓/金刚石异质界面。GaN/金刚石异质界面存在较小的压应力，明显小于晶体生长形成过渡层的GaN-on-diamond结构。在异质界面处形成了由非晶态碳和金刚石组成的5.3 nm厚的中间层。在成键过程中，Ga和N原子通过扩散分布在中间层。中间层的厚度和sp2键碳比随着退火温度的升高而减小，表明非晶碳在退火后直接转变为金刚石。中间层的金刚石起种子晶体的作用。在1000°C退火后，中间层的厚度减少到约1.5 nm，在那里观察到金刚石(220)平面的晶格条纹。”
找到技术文件链接．公布的09/2021。
梁俊，小林A，清水Y，大野Y，金世伟。，小山，K.， Kasu, M.，永井，Y.， Shigekawa, N.，氮化镓/金刚石异质界面和界面化学键态的高效器件设计。公告:脱线2021,33,2104564。https://doi.org/10.1002/adma.202104564
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