GaN/金刚石异质界面的制备及界面化学键合态的高效器件设计


“氮化镓(GaN)和金刚石的直接集成为大功率器件提供了广阔的前景。然而,由于GaN与金刚石之间存在较大的晶格和热膨胀系数不匹配,因此在金刚石上生长GaN是一个很大的挑战。本文采用表面激活键合(SAB)方法,成功地实现了氮化镓/金刚石异质界面的制备。»阅读更多

电源/性能位:4月14日


Linköping大学、查尔姆斯理工大学、华盛顿大学、科隆大学、千叶大学和云南大学的研究人员开发了一种用于可打印电子产品的有机墨水,不需要掺杂就能获得良好的导电性。“我们通常会掺杂有机聚合物,以提高其导电性和设备性能。过程……»阅读更多

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