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标签:场效电晶体

尺寸缩放和器件结构对纳米MOS晶体管辐射响应的影响
通过技术文件链接- 2022年8月24日-评论:0

田纳西州纳什维尔范德比尔特大学的一名研究人员发表了一篇题为“纳米尺度金属氧化物半导体器件辐射效应透视”的新技术论文。这项工作得到了国防威胁减少局、美国空军科学研究办公室和空军研究实验室的部分支持。根据该论文，“这个观点……»阅读更多

两种新型vdW材料的电子、热力学和介电性能
通过技术文件链接- 2022年6月3日-评论:0

新的技术论文题为“单层Ca(OH)2和Mg(OH)2的电子、热力学和介电性质的第一性原理研究”，来自德克萨斯大学达拉斯分校。在国家科学基金会和美国国防部、国防威胁减少局的资助下。摘要“我们执行第一性原理计算，以探索电子，热力学…»阅读更多

mosfet的NBTI和PBTI
通过技术文件链接- 2022年5月30日-意见:0

利物浦约翰摩尔斯大学的研究人员撰写的题为“mosfet的偏置温度不稳定性:物理过程、模型和预测”的技术论文。摘要CMOS技术主导着半导体行业，而mosfet的可靠性是一个关键问题。为了优化芯片设计，必须在可靠性、速度、功耗和成本之间进行权衡。这个r……»阅读更多

向更坚固、更便宜的SiC迈进
通过凯瑟琳德比郡- 2022年5月19日-意见:0

碳化硅在功率半导体市场，特别是在电动汽车上，正在获得越来越多的吸引力，但对于许多应用来说，它仍然太贵了。原因很好理解，但直到最近，SiC在很大程度上还是一种利基技术，不值得投资。现在，随着对可以在高压应用中工作的芯片的需求增长，SiC得到了更近距离的关注. ...»阅读更多

电力、电动汽车市场需要GaN集成电路
通过凯瑟琳德比郡- 2022年3月17日-意见:0

使用分立GaN元件构建的电路可能可以完成这项工作，但完全集成的GaN电路仍然是最终目标，因为它们将提供许多与集成硅电路相同的优势。这些优点包括随着电路占地面积的扩大而降低成本，并通过较短的互连运行降低寄生电阻和电容。此外，提高了器件性能。»阅读更多

硅基动力semi面临挑战
通过马克LaPedus- 2022年2月17日-评论:0

功率半导体供应商继续基于传统硅技术开发和运输器件，但硅已接近极限，并面临来自GaN和SiC等技术的日益激烈的竞争。作为回应，该行业正在寻找扩展传统硅基电力设备的方法。芯片制造商正在努力提高性能，延长技术寿命，至少在这个领域是这样。»阅读更多

安全可靠的MOSFET工作在双向电源开关(BDPS)应用
通过英飞凌- 2022年1月5日-意见:0

电池驱动应用的全球市场正在迅速增长，包括电动工具、服务机器人、轻型电动汽车等。开关模式电源(SMPS)拓扑结构的发展使设计人员能够通过同一终端使用双向转换器确保设备电池的安全充电和放电。然而，为了满足安全要求…»阅读更多

加速SiC和GaN
通过Ann Steffora Mutschler- 2021年12月13日-意见:0

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在电力电子产品中越来越受欢迎，特别是在汽车应用中，随着产量的扩大，降低了成本，并增加了对更好的工具的需求，以设计、验证和测试这些宽带隙器件。SiC和GaN在电动汽车的电池管理等领域都被证明是必不可少的。他们可以处理很多…»阅读更多

中国加快铸造、功率半器件的发展
通过马克LaPedus- 2021年11月22日-评论

中国推出了几项促进国内半导体产业发展的举措，包括在代工、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)市场进行大规模的新工厂扩建活动。这个国家正在大力推进所谓的“第三代半导体”，这是一个不恰当的称呼。该术语实际上指的是两种现有的和常见的功率半导体…»阅读更多

碳化硅mosfet栅极驱动器的选择
通过奥拉夫Bendix- 2021年10月14日-评论:0

如果你打算在你的下一个开发中使用碳化硅(SiC) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，你会问自己:我如何为它开发最好的栅极驱动器?这个问题的答案是:根据您的应用程序的峰值电流和功耗要求确定一个合适的栅极驱动器IC，并为您的SiC确定一个合适的栅极电阻……»阅读更多

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