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标签:场效电晶体

选择一个门碳化硅mosfet的驱动程序
通过奥拉夫Bendix10月- 14,2021 -评论:0

如果你要使用碳化硅(SiC) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)在你的下一个开发中,你会问自己:我如何开发最好的门驱动器吗?这个问题的答案是:确定一个合适的门驱动器集成电路基于峰值电流和功耗的要求应用程序和安装门电阻器SiC……»阅读更多

碳化硅的比赛开始了
通过帕特里克Waurzyniak9月- 20,2021 -评论:0

日益增长的采用碳化硅(SiC)的各种汽车芯片已经达到了临界点,大多数芯片制造商现在认为这是一个相对安全的赌注,引发争相股份索赔,推动这种宽禁带技术成为主流。碳化硅拥有更大的潜力的汽车应用程序,特别是电池电动汽车。它可以扩展d…»阅读更多

在SiC mosfet短路强度
通过Zhihui元9月- 13,2021 -评论:1

Trench-based碳化硅功率场效应管(金属氧化物半导体场效应晶体管)代表一个戏剧性的改善品质因数(FOM)值的功率转换开关设备。结果,优秀的系统性能,实现更高效率、功率密度,降低了系统成本对于许多应用程序。今天,主要的目标应用程序的年代……»阅读更多

稀释剂与二维半导体通道
通过凯瑟琳德比郡- 6月21日,2021 -评论:0

搬到未来的节点需要的不仅仅是较小的特点。3/2nm之外,新材料可能被添加,但哪些,什么时候将取决于爆炸材料的科学研究进行的大学和公司在全球范围内。场效应晶体管、门创建一个电场的电压通道,弯曲的禁令……»阅读更多

现代电力设备SiC mosfet的景观
通过彼得·弗里德里希- 08年4月,2021 -评论:0

多年来,低损失可能高细分领域使碳化硅(SiC)场效应管之间非常受欢迎工程师。目前,他们大多是用于地区igbt(绝缘栅双极型晶体管)之前一直流行的组件的选择。但做SiC mosfet扮演的角色在今天的风景电力设备?与碳化硅mosfet (Metal-Oxide-Semicond…»阅读更多

IC极端条件下的材料
通过凯瑟琳德比郡- 3月18日,2021 -评论:1

芯片的材料研究在极端环境中使用,如登陆金星,正在增长。甘而吸引了不少人关注的功率转换电路,它只是一个申请半导体在极端环境中。高压、高温和腐蚀性大气中发现许多工业和航空航天环境……»阅读更多

电源包装趋势和48 v的生态系统
通过Ajay Sattu10月- 22,2020 -评论:0

每过一年,新兴应用领域如汽车、云计算、工业自动化、电信(5克)基础设施受到了更多的关注。虽然应用程序段是不同的,都有一个共性的电压转换和功率分布是如何实现在系统水平。系统要求正变得越来越重要,减少一个了…»阅读更多

提高可靠性GaN和碳化硅
通过马克LaPedus- 18,2020 -评论:2

氮化镓(GaN)和供应商碳化硅(SiC)电力设备正在推出下一波产品与一些新的和令人印象深刻的规格。但在这些设备被纳入系统之前,他们必须证明是可靠的。与以前的产品,供应商也很快指出,新设备是可靠的,虽然有一些问题,可以偶尔表面…»阅读更多

下一代高性能300 kW三相SiC逆变器基于模块化的碳化硅功率模块
通过Wolfspeed, Cree公司——5月21日,2020 -评论:0

Wolfspeed提出了一种新的高性能、低成本、小型三相逆变器基于下一代功率模块是专门优化,充分利用Wolfspeed第三代的碳化硅(SiC)场效应管。逆变器设计与整体的方法仔细考虑模块规格、母线技术、直流环节电容和一个高性能的……»阅读更多

周评:制造、测试
通过马克LaPedus- 03年4月,2020 -评论:0

工厂工具运输成本冠状病毒是影响半导体设备公司。许多先前已经召回了他们的预测。“这也导致运输成本上升,“Krish Sankar说,考恩的分析师在一份研究报告。大多数半导体设备和组件是通过空气,根据Sankar。唯一的例外是平板显示设备和其他系统……»阅读更多

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