技术论文题为“偏压场效电晶体的温度不稳定:物理过程,模型,和预测”从利物浦约翰摩尔斯大学的研究人员。
文摘
“CMOS技术在半导体产业占据主导地位,场效应管的可靠性是一个关键问题。优化芯片设计、权衡可靠性、速度、功耗和成本必须执行。这需要建模和预测设备的不稳定和不稳定的主要来源是设备老化,缺陷逐渐建立,最终导致故障的电路。本文首先概述主要的老化过程,并讨论它们的相对重要性随着CMOS技术的发展。注意力就集中在正面和负面的偏见温度不稳定(NBTI和PBTI),主要是基于作者的早期作品。目的是向As-grown-Generation (AG)模型,可用于不仅适合测试数据还预测英国国际贸易局长期在低的偏见。模型是基于一个深入的理解不同类型的缺陷和英国国际贸易局实验分离他们的贡献。新的测量技术发展使这种分离进行了综述。物理过程负责发言了,失败的原因的早期英国国际贸易局模型在预测进行了讨论。”
找到开放获取这里的技术论文。2022年4月出版。
张,参考;高,r;段,m;霁,z;张,w;Marsland, j .偏差场效电晶体的温度不稳定:物理过程,模型和预测。1420年电子2022年11日。https://doi.org/10.3390/electronics11091420
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