标签:偏见温度不稳定

NBTI & PBTI mosfet
通过技术论文链接- 5月30日,2022 -评论:0

技术论文题为“偏压场效电晶体的温度不稳定:物理过程,模型,和预测”从利物浦约翰摩尔斯大学的研究人员。文摘”CMOS技术在半导体产业占据主导地位,场效应管的可靠性是一个关键问题。优化芯片设计、权衡可靠性、速度、功耗和成本必须执行。这个r……»阅读更多

阻碍老化模拟是什么?
通过安德烈·兰格- 09年4月,2020 -评论:0

老化模拟供应信息的长期行为IC进入生产之前,提供一个重要的早期评估可靠性所需的应用程序和规范。重新设计由于可靠性问题,过多的过度安全保证金,以这种方式避免了。此外,长期稳定可以向客户演示了……»阅读更多

对在不同的EDA电路级老化模拟环境一致
通过弗劳恩霍夫东亚峰会4月- 10,2019 -评论:0

老化模拟电路水平允许集成电路(IC)设计验证电路对寿命可靠性要求考虑到退化的场效应晶体管(fet)。获得重要的分析结果与一个合理的努力,两个先决条件必须满足。首先,合理的场效应晶体管模型退化影响必须设置。秒……»阅读更多

老化模型:预测电路可靠性的基础
通过安德烈·兰格4月- 12,2018 -评论:0

今天,许多产品都是基于高性能电子系统和集成电路(ic),以及这些元素的重要性不断增加。出现一定的张力是这些应用程序通常要求大量的处理能力和可靠性。处理能力最好可以提供高度按比例缩小的半导体技术。然而,这些制造业te……»阅读更多

噪声控制
通过布莱恩•贝利2017年10月- 12 -评论:0

[getkc id = " 285 " kc_name =“噪音”)是一个不争的事实。几乎我们所做的一切产生噪声作为副产品,经常是一方噪声信号到另一个地方。不能消除噪音。它必须被管理。但噪声成为一个更大的问题在芯片技术节点变小和包装变得更加复杂?对一些人来说,答案是一个非常强大的肯定,而不…»阅读更多

将自动加热停止FinFETs
通过凯瑟琳德比郡4月- 20,2017 -评论:0

新晶体管设计和新材料不要凭空出现。他们总是采用由现任技术的局限性。硅锗和其他化合物半导体是有趣,因为他们承诺卓越的载流子迁移率相对于硅。[getkc id = " 185 " kc_name = " FinFET "]晶体管设计帮助减少短沟道效应,一个重要的里美……»阅读更多

晶体管级验证返回
通过布莱恩•贝利1月- 13,2016 -评论:1

几十年前,设计师所做的晶体管级验证,但是他们很乐意告别时标准电池提供隔离的门电路级和库提供了所需的所有详细信息,如时间。一些专门的人继续使用这项技术来提供这些模型和库和最激进的设计想生态…»阅读更多

硅的终结吗?
通过凯瑟琳德比郡2015年5月- 04 -评论:1

随着晶体管缩小,并不是所有的设备参数规模在同一时)和一个潜在的巨大问题所在。近年来,制造商已经能够降低氧化等效厚度(测试结束)比工作电压要快多了。因此,电场出现在通道和闸极介电层的人数一直在增加。此外,测试结束减少reduci实现部分……»阅读更多

老化:并不总是一件坏事
通过安Mutschler8月- 22,2013 -评论:0

由安Steffora Mutschler当集成电路设备生产和运送到最终客户,重要的是,他们将函数作为指定的应用程序环境。确定设备将随着时间的推移,整体可靠性的一个关键方面,通常被称为“衰老。电子产品的老化并不是一个新问题。事实上,模拟和汽车设计师蜜蜂……»阅读更多

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