在不同环境中使用退化模型的影响。
电路级别的老化模拟允许集成电路(IC)设计人员通过考虑场效应晶体管(fet)的退化来验证其电路的寿命可靠性要求。要通过合理的努力获得显著的分析结果，必须满足两个先决条件。首先，必须建立合理的场效应晶体管退化效应模型。其次，必须将模型实现到电子设计自动化(EDA)环境中。在这项工作中，我们证明了退化模型可以在不同的EDA环境中通过使用工具特定的和通用的建模接口一致地实现。此外，我们将基于模拟研究的所选环境的行为与偏置温度不稳定(BTI)和热载流子注入(HCI)的示例退化模型进行了比较。
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