新技术论文题为“角度辐射效应在纳米级金属氧化物半导体设备”被范德比尔特大学的研究人员发表,田纳西州纳什维尔。支持的工作部分国防威胁降低局和由美国空军科学研究办公室和空军研究实验室。
根据这篇论文,“这个角度看关注的影响大小缩放和设备结构辐射响应的纳米金属氧化物半导体晶体管。提供了例子说明MOS total-ionizing-dose (TID)响应随(1)晶体管长度、宽度、介质厚度,(2)从平面转向FinFET和纳米线的几何图形,和(3)的实现high-K电介质和发展三维(3 d)集成电路结构。”
找到这里的技术论文。2022年8月出版。
d·m·弗利特伍德“角度辐射效应在纳米金属氧化物半导体设备”,达成。理论物理。列托人。121,070503 (2022)https://doi.org/10.1063/5.0105173。
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