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印刷电路技术在弯曲和波纹表面使用金属纳米线(数控状态)


技术论文题为“曲线软电子金属纳米线的micromolding毛细血管”是北卡州立大学的研究人员发表的。“我们已经开发出一种技术,不需要绑定代理和允许我们打印各种曲线表面,”刘)说,这篇论文的第一作者和NC州立大学博士生……»阅读更多

声子和Magnonic 1 d MoI3纳米线的属性


一个新的技术论文题为“在MoI3维元素激发态范德瓦耳斯纳米线”被NIST的研究人员发表,加州大学河滨分校,乔治亚大学,泰斯研究公司和斯坦福大学。“我们这里描述晶体的基本作用就是secu * tanu减去vdW MoI3一个[范德瓦耳斯]true-1D晶体结构的材料。我们的测量显示异常建立……»阅读更多

3 d赛道内存设备(马克斯·普朗克)


新技术论文题为“立体赛道内存设备从独立磁异质结构设计”研究人员发表的哈莉·马克斯普朗克微结构物理研究所、德国。“磁赛道记忆编码数据在一系列的磁畴壁电流脉冲沿着磁纳米线所感动。迄今为止,大多数研究的热点…»阅读更多

高度密集和垂直对齐Sub-5纳米硅纳米线


新技术论文题为“Catalyst-free sub-5纳米硅纳米线阵列的合成大量晶格收缩和宽禁带”是东北大学的研究人员发表的,韩国科学技术研究院,国立大学等。“在这里,我们准备高度密集和垂直对齐sub-5纳米硅纳米线直径与长度/ r方面……»阅读更多

的影响大小缩放和设备结构辐射响应的纳米金属氧化物半导体晶体管


新技术论文题为“角度辐射效应在纳米级金属氧化物半导体设备”被范德比尔特大学的研究人员发表,田纳西州纳什维尔。支持的工作部分国防威胁降低局和由美国空军科学研究办公室和空军研究实验室。根据这篇论文,“这谕…»阅读更多

超快的使用偏振光子计算


新技术论文题为“hybridized-active-dielectric纳米线Polarization-selective重构性”最近出版的牛津大学和埃克塞特大学的研究人员。本文演示了“能够使用偏振参数有选择地调节内的单个纳米线电导multi-nanowire系统。通过使用偏振作为…»阅读更多

定义& III-V垂直生长纳米线在一个较高的足迹密度Si平台上


新技术论文题为“定向自组装密度垂直III-V门全面沉积在硅纳米线和影响”从瑞典隆德大学的研究人员发表。文摘:“制造下一代晶体管呼吁新的技术要求,如减少大小和密度的增加结构。发展具有成本效益的proc……»阅读更多

混合传感平台w /硅纳米线在一个全功能的芯片包含读出电子与信号放大


新技术论文题为“多点多巴胺传感Femtomolar分辨率使用CMOS启用Aptasensor芯片”从你德累斯顿,日本定量生物学中心、伦敦帝国理工学院NaMLab gGmbH,苏黎世联邦理工学院,麦克斯韦生物系统AG)你维恩,放射性药物的癌症研究学院。抽象的“许多生物标志物包括神经递质在外部博…»阅读更多

作为一个基本的二维半导体碲的复活


抽象的“石墨烯热潮引发了广泛的搜索小说元素范德瓦耳斯材料由于其简单理论建模和物质增长的轻松访问。第六组元素是一个无意中p型掺杂碲窄禁带半导体具有一维手性原子结构为下一代电子拥有更大的潜力,…»阅读更多

Label-Free c反应蛋白硅纳米线场效应晶体管传感器阵列与Super-Nernstian后门操作


文摘:“我们现在CMOS-compatible双闸门和label-free c反应蛋白(CRP)传感器,基于绝缘体上硅(SOI)硅纳米线阵列。我们利用一个参考减去检测方法和super-Nernstian内部放大的双闸门结构。我们克服了德拜屏蔽带电c反应蛋白的蛋白质在解决方案中使用的抗体片段c…»阅读更多

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