普渡大学的研究人员回顾了最近在合成原子薄的Te二维(2D)薄膜和一维(1D)纳米线方面的进展，包括在场效应晶体管中的应用和构建超大尺寸CMOS电路的潜力。
摘要
“石墨烯的繁荣引发了对新型元素范德华材料的广泛搜索，这要归功于其简单的理论建模和易于获取的材料生长。VI族元素碲是一种非故意p型掺杂的窄带隙半导体，具有一维手性原子结构，在下一代电子、光电和压电应用中具有很大的前景。在本文中，我们首先综述了近年来原子薄Te二维(2D)薄膜和一维(1D)纳米线的合成进展。讨论了它在场效应晶体管中的应用，以及在构建超大尺寸互补金属氧化物半导体(CMOS)电路中的潜力。我们还将概述其在二维极限下量子输运的最新研究，以及在探索其拓扑特征和手性相关物理方面的进展。我们设想，在获得高质量2D Te薄膜方面的突破，将在不久的将来激发人们重新审视这种长期被遗忘的材料的基本特性。”
找到开放获取技术论文链接在这里。．2022年3月出版。
邱国强，牛志强，等。碲作为二维半导体元素的复活。npj 2D Mater Appl 6,17(2022)。https://doi.org/10.1038/s41699 - 022 - 00293 - w。
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