ASML、ISTEQ b.v.和埃因霍温理工大学的研究人员发表了一篇题为“脉冲EUV曝光期间带有余辉效应的粒子充电”的新技术论文。
摘要
“在脉冲EUV暴露环境中，利用3DPIC模拟研究了纳米颗粒充电过程以及背景时空等离子体剖面。发现粒子电荷极性(正负)很大程度上取决于粒子的大小、位置和背景瞬态等离子体条件。粒子(直径100 nm)电荷在EUV光束内的单个脉冲(20 us)中达到稳定状态，而光束外的粒子则需要多个脉冲。粒径越大，达到稳态所需的脉冲数越少。发现粒子的电荷随压力的减小在束外比束内的速率快。研究结果对极紫外光刻机的粒子污染(缺陷)控制策略具有重要意义。
找到这里是技术论文。2023年3月出版(预印本)。
Chaudhuri, M.， L. C. J. Heijmans, M. van de Kerkhof, P. Krainov, D. Astakhov和A. M. Yakunin。“带有余辉效应的脉冲EUV曝光期间的粒子充电。“arXiv预印arXiv:2303.14684(2023)。
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