新技术论文题为“定向自组装密度垂直III-V门全面沉积在硅纳米线和影响”从瑞典隆德大学的研究人员发表。
文摘:
“下一代制造晶体管呼吁新的技术要求,如减少大小和密度的增加结构。发展有效的处理技术制造small-pitch垂直III-V纳米线在大部分地区将是一个重要的一步实现密集门全面的晶体管,具有高电子迁移率和低功耗。这里展示,数组III-V纳米线的可控的行数,从一个单一的行乐队的500海里,可以直接处理嵌段共聚物的自组装(DSA) (BCP)。此外,它表明DSA-orientation对基质的晶体方向影响纳米线方面的配置,从而纳米线间距和门全面沉积的可能性。高χ聚(苯乙烯)块保利(4-vinylpyridine) BCP模式由电子束lithography-defined引导线转移到氮化硅。然后使用氮化硅作为选择性区域有机汽相外延面具之上一个砷化铟(ina)缓冲层硅平台上垂直生长在纳米线在44-60纳米孔距。最后,沉积氮化钛和氧化high-κ模式密度高了,进一步说明了所需考虑下一代晶体管。”
找到开放获取技术论文。2022年4月出版。
Lofstrand,。,贾法里,R。,Svensson, J。,琼森,一个。,梅农H。,路上,D。,Wernersson L.-E。,Maximov,我。,定向自组装密度垂直III-V硅纳米线,对闸门全能沉积的影响。放置电子。板牙。2022年,2101388。https://doi.org/10.1002/aelm.202101388。
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