韩国高丽大学的研究人员发表了一篇题为“使用双门控反馈场效应晶体管的三元NAND/NOR通用逻辑门的内存逻辑操作”的技术论文。
摘要
“在这项研究中，演示了由双门反馈场效应晶体管组成的三元NAND和NOR逻辑门的内存逻辑操作。元件晶体管通过调整栅极偏置将其工作模式重新配置为n通道或p通道模式。这些操作模式之间的高度对称操作以及出色的通流比(1.03)使三元逻辑门中具有三个可区分且稳定的逻辑电平。此外，在零偏置条件下，三元逻辑门能保持三种逻辑状态几十秒到几百秒。这项研究表明，三元逻辑门是下一代低功耗计算系统的有前途的候选者。”
找到技术纸在这里．2023年1月出版。
Son, J.， Shin, Y.， Cho, K.， & Kim, S.(2023)。使用双门控反馈场效应晶体管的三元NAND/NOR通用逻辑门的内存内逻辑操作。先进电子材料，2201134。
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