使用DG反馈fet的TNAND和TNOR通用门的三元LIM操作


韩国高丽大学的研究人员发表了一篇题为“使用双门控反馈场效应晶体管的三元NAND/NOR通用逻辑门的内存逻辑操作”的技术论文。“在这项研究中,演示了由双门反馈场效应晶体管组成的三元NAND和NOR逻辑门的内存逻辑操作。晶体管元件…»阅读更多

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