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标签:低功率

在硅实现解决三大挑战
通过布拉德利Geden11月- 22,2022 -评论:0

没有更好的方法来了解流行的技术挑战比汇集业内专家分享经验和提出解决方案。硅的能力来设计和构建当今复杂的半导体一个域没有短缺的挑战。追求最好的功率、性能和面积,和交付first-time-right硅,要求…»阅读更多

加快物联网设计:设计低功耗智能时代的一切
通过罗恩·洛曼11月- 10,2022 -评论:0

我们大多数人已经习惯了与无处不在的技术生态系统的日常交流(如果不是每小时)。从健身追踪器、智能真空吸尘器和半自治车辆的智能家居设备每天早晨叫醒我们,不可否认,物联网(物联网)繁荣发展在我们生活的方方面面。这一刻的核心,康涅狄格州,我们指尖……»阅读更多

你能多低?把晶体管的极限
通过Synopsys对此- 09年11月,2022 -评论:0

先进的移动需求的上升,物联网,可穿戴设备,以及高计算要求AI和5 g / 6 g通信、电力systems-on-chip推低需要(soc)。这不仅是一种关心设备的功耗,活跃(动态功率),而且当设备不活跃(泄漏)。这个竞争激烈的行业提供了重要rewar……»阅读更多

改善电气性能和p型TFET低频噪声的特性
通过技术论文链接- 08年11月,2022 -评论:0

新技术论文题为“高压D2和H2退火对LFN属性FD-SOI pTFET“忠南国立大学和韩国研究人员发表的理工大学。“这项研究调查的影响高压氘(D2)退火和氢气(H2)退火的电气性能和低频噪声(LFN)完全耗尽silic……»阅读更多

第一个方法
通过布莱恩•贝利- 10月27日,2022 -评论:6

显然越来越清楚的是,热量将限制未来的半导体。大比例的芯片已经在黑暗,因为如果一切操作同时产生的热量将超过芯片和包的能力能量消散。如果我们现在开始考虑叠加死了,提取热量的能力仍然反对……»阅读更多

使用硅光子学减少延迟在边缘设备上
通过技术论文链接- 10月26日,2022 -评论:0

一个新的技术论文题为“非定域化的光子深度学习在互联网上的优势”是由麻省理工学院的研究人员和诺基亚公司出版的。“每当你想要运行一个神经网络,你需要运行这个程序,你可以运行程序和速度取决于你如何快速管道从内存中的程序。我们的管子是巨大的——它对应于发送一个完整的feature-leng……»阅读更多

简化人工智能边缘部署
通过埃德·斯珀林10月- 10,2022 -评论:0

副总裁巴里马林斯在Flex Logix产品,解释了一个可编程的加速器芯片可以简化半导体设计的优势,在芯片需要高性能以及低功率,然而发展中一切从头开始太昂贵和耗时。可编程性允许这些系统与算法的变化,保持当前可以影响一切f……»阅读更多

调试这个!如何简化覆盖分析和关闭吗
通过雅苒Essam10月- 10,2022 -评论:0

多年ASIC和FPGA设计的过程和验证调试主要包括理解的结构和源代码设计波形显示活动随着时间的推移,基于testbench刺激。今天,功能验证指数与新出现的复杂层的设计要求(基本功能之外)年前并不存在- f……»阅读更多

低功率HW加速器FP16矩阵乘法在RISC-V紧密集成核
通过技术论文链接- 03年8月,2022 -评论:0

这种新技术论文题为“RedMulE:紧凑FP16适应深度学习矩阵乘法加速器RISC-V-Based超低功耗soc”被博洛尼亚大学的研究人员发表,苏黎世联邦理工学院。根据他们的简介:“绊倒石头的关键是对并行浮点操作的需要,被认为是负担不起子- 100 mW extre……»阅读更多

Edge-AI硬件扩展现实
通过技术论文链接7月- 20,2022 -评论:0

新技术论文题为“Memory-Oriented设计空间探索Edge-AI硬件XR应用“从新德里印度科技学院的研究人员和现实实验室研究、元。抽象的“低功耗Edge-AI能力是必不可少的设备内置扩展现实(XR)应用程序支持Metaverse的愿景。在这项工作中,我们研究两个代表XR w……»阅读更多

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