三元LIM TNAND操作和盖茨TNOR普遍使用DG反馈场效应晶体管


技术论文题为“Logic-in-Memory操作三元NAND /也不通用逻辑门使用双栅场效应晶体管反馈”是韩国大学的研究人员发表的。抽象”在这项研究中,三元NAND logic-in-memory操作演示,也没有逻辑门组成的双栅场效应晶体管的反馈。组件晶体管……»阅读更多

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