标签:FBFETs

三元LIM TNAND操作和盖茨TNOR普遍使用DG反馈场效应晶体管
通过技术论文链接- 04年3月,2023 -评论:0

技术论文题为“Logic-in-Memory操作三元NAND /也不通用逻辑门使用双栅场效应晶体管反馈”是韩国大学的研究人员发表的。抽象”在这项研究中,三元NAND logic-in-memory操作演示,也没有逻辑门组成的双栅场效应晶体管的反馈。组件晶体管……»阅读更多

技术论文聚拢:8月8日
通过琳达·克里斯坦森- 08年8月,2022 -评论:0

新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 44 /)半导体工程建设过程中这个库的研究论文。请将建议(通过下面的评论栏)还有什么你想让我们把。如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合…»阅读更多

完全CMOS-compatible三元逆变器与记忆功能使用硅场效应晶体管反馈(FBFETs)
通过技术论文链接2022年8月- 02年,评论:0

新技术论文题为“新三元场效应晶体管逆变器使用硅与记忆功能反馈”从韩国大学的研究人员发表。文摘:在这项研究中,我们提出一个完全互补metal-oxide-semiconductor-compatible三元逆变器与记忆功能使用硅场效应晶体管(FBFETs)反馈。FBFETs操作与pos……»阅读更多

NAND也logic-in-memory由硅纳米线场效应晶体管的反馈
通过技术论文链接3月- 15,2022 -评论:0

文摘:“大量数据的处理需要一个高能源效率和快速的高性能计算系统的处理时间。然而,传统的冯诺依曼计算机系统性能瓶颈的限制之间的数据移动分开处理和内存层次结构,导致延迟和高功率消耗。为了克服这个hindra……»阅读更多

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