证明了NAND也LIM有潜力有前途的解决能力和处理速度问题。NAND也LIM组成的硅纳米线场效应晶体管(SiNW)反馈(FBFETs)来验证通用门功能,配置的SiNW FBFETs维护传统的CMOS逻辑门
文摘:
“大量数据的处理需要一个高能源效率和快速的高性能计算系统的处理时间。然而,传统的冯诺依曼计算机系统性能瓶颈的限制之间的数据移动分开处理和内存层次结构,导致延迟和高功率消耗。为了克服这个障碍,logic-in-memory (LIM)已经被提出,执行数据处理和内存操作。在这里,我们提出一个NAND也LIM组成的硅纳米线场效应晶体管的反馈,其配置类似于CMOS电路逻辑门。LIM执行内存操作可以在零偏压条件下保持其输出逻辑以及逻辑运算处理速度高的纳秒。新提出的动态电压传输特性验证LIM的工作原理。这项研究表明,与非也LIM有潜力有前途的解决能力和处理速度的问题。”
找到开放获取技术论文链接在这里。2022年3月出版。
杨,Y。全,J。儿子,j . et al . NAND也logic-in-memory由硅纳米线场效应晶体管的反馈。3643年Sci代表12日(2022年)。
https://doi.org/10.1038/s41598 - 022 - 07368 - 0。
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