高丽大学的研究人员发表了题为“使用硅反馈场效应晶体管的具有存储功能的新型三元逆变器”的新技术论文。
文摘:
在这项研究中，我们提出了一种完全互补的金属氧化物-半导体兼容三元逆变器，使用硅反馈场效应晶体管(fbfet)具有记忆功能。fbfet通过通道中的载波积累以正反馈环路运行，这允许以极低的次阈值波动实现出色的内存特性。这种开关和内存功能的混合操作使fbfet能够在传统CMOS逻辑方案中实现内存操作。由p通道和n通道fbfet串联组成的逆变器可以处于三元逻辑状态，并在保持操作期间保持这些状态，这是由于fbfet的开关和存储功能。它具有大约73 V/V的高电压增益，150 s的逻辑保持时间和大约10的可靠耐用性5．这种具有存储功能的三元逆变器展示了多值逻辑应用中新的计算范式的可能性。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年7月出版。
孙俊杰，赵凯，金，等。采用硅反馈场效应晶体管的新型三元记忆逆变器。科学报告12,12907(2022)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 022 - 17035 - z。创作共用许可．
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