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标签:场效应晶体管

分子掺杂对单层WS2 fet肖特基势垒高度的控制
通过技术文件链接- 2022年9月7日-评论:0

NIST、Theiss research、海军研究实验室和Nova research的研究人员发表了一篇题为“使用分子掺杂控制单层WS2 fet中的肖特基势垒高度”的新研究论文。摘要:“开发可控地掺杂二维半导体的工艺对于实现下一代电子和光电子器件至关重要。波形的……»阅读更多

基于硅反馈场效应晶体管(fbfet)的全cmos兼容三元逆变器
通过技术文件链接- 2022年8月2日-评论:0

高丽大学的研究人员发表了题为“使用硅反馈场效应晶体管的具有存储功能的新型三元逆变器”的新技术论文。摘要:在本研究中，我们提出了一种采用硅反馈场效应晶体管(fbfet)的具有记忆功能的全互补金属氧化物-半导体兼容三元逆变器。fbfet工作在一个pos…»阅读更多

用于空穴传输有机场效应晶体管的溶液可加工五氟苯基端封二硫噻吩有机半导体
通过技术文件链接- 2021年12月10日-意见:0

摘要:“开发了两种可溶液加工有机半导体，DFPT‐DTTR(1)和DFPbT‐DTTR(2)，由五氟苯基(FP)端封3,5‐二基二噻吩(DTTR)芯与噻吩(T)或双噻吩(bT)作为π桥接间隔物组成，并研究了它们的光学、电化学、微结构和电学性能。有更多的共轭双硫代嘌呤…»阅读更多

双极放大效应的定量模型:确定半导体/氧化物界面态密度的新方法
通过技术文件链接- 2021年10月12日-评论:0

“我们报告了一个双极放大效应(BAE)模型，该模型能够在金属氧化物半导体场效应晶体管中使用BAE测量缺陷密度。BAE是一种电检测磁共振(EDMR)技术，最近被用于缺陷识别，因为改进的EDMR灵敏度和对界面缺陷的选择性....»阅读更多

系统数据:9月3日
通过杰夫Dorsch- 2019年9月3日-评论:0

麻省理工学院的研究人员设计出了一种含有碳纳米管的微处理器，并采用传统工艺制造芯片，这一进步可用于下一代计算机。生产碳纳米管场效应晶体管的工作已经进行了一段时间。大规模制造，这些cnfet往往…»阅读更多

驯服NBTI，提高设备可靠性
通过安Mutschler- 2018年11月8日-评论:2

在最先进的工艺节点上，负偏差温度不稳定性是一个日益严重的问题，但事实证明，使用传统方法也很难驯服它。这种情况最终可能会开始改变。NBTI是场效应晶体管的老化机制，它会导致晶体管在工作过程中特性曲线的变化。结果可能是漂移到unint…»阅读更多

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