中文 英语
首页
技术论文

双极放大效应的定量模型:确定半导体/氧化物界面态密度的新方法

NIST,合作者开发灵敏的检测晶体管缺陷的新方法

受欢迎程度

摘要
“我们报告了一个双极放大效应(BAE)模型,该模型能够在金属氧化物半导体场效应晶体管中使用BAE测量缺陷密度。BAE是一种电检测磁共振(EDMR)技术,由于EDMR对界面缺陷的敏感性和选择性的提高,最近被用于缺陷识别。在以前的工作中,BAE仅用于EDMR测量。尽管BAE EDMR提高了EDMR在半导体/氧化物界面缺陷研究中的灵敏度,但尚未对BAE在电测量和EDMR中的理解进行研究。在这项工作中,我们开发了一个基于改进的菲茨杰拉德-格罗夫表面重组方法的BAE理论,在理论上,可以用来微调EDMR测量的条件。BAE现在也可以用作纯“电子”测量的分析工具。这里提出的模型可能最终证明在BAE EDMR共振理论的发展中是有用的。”

找到开放获取技术文件链接.NIST的总结可以在这里找到

詹姆斯·p·阿什顿,斯蒂芬·j·莫西姆,阿什顿·d·珀塞尔,帕特里克·m·勒纳汉和杰森·t·瑞安。双极放大效应的定量模型:确定半导体/氧化物界面态密度的新方法。应用物理杂志。2021年10月6日在线发布。DOI: 10.1063/5.0064397



留下回复


(注:此名称将公开显示)

Baidu